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參數資料
| 型號： | FJPF5321 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor |
| 中文描述： | 5 A, 500 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 封裝： | TO-220F, 3 PIN |
| 文件頁數： | 5/6頁 |
| 文件大小： | 70K |
| 代理商： | FJPF5321 |
Package Dimensions
F
Dimensions in Millimeters
(7.00)
(0.70)
MAX1.47
(30
°
)
#1
3
±
0
1
±
0
1
±
0
6
±
0
9
±
0
4
±
0
10.16
±
0.20
(1.00x45
°
)
2.54
±
0.20
0.80
±
0.10
9.40
±
0.20
2.76
±
0.20
0.35
±
0.10
3.18
±
0.10
2.54TYP
[2.54
±
0.20
]
2.54TYP
[2.54
±
0.20
]
0.50
+0.10
–0.05
TO-220F
Rev. A, December 2003
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FJPF5555 | High Voltage Switch Mode Application |
| FJPF6806D | NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor |
| FJPF9020 | PNP Epitaxial Darlington Transistor |
| FJT1100 | Ultra Low Leakage Diodes |
| FJT1101 | Ultra Low Leakage Diodes |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FJPF5321TU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Silicon Trans RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FJPF5555 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:High Voltage Switch Mode Application |
| FJPF5555TU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 1100V/5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FJPF6806D | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor |
| FJPF6806DTU | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 NPN Si Transistor Tripple Diff Planar RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
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