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參數資料
| 型號： | FJPF5321 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor |
| 中文描述： | 5 A, 500 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 封裝： | TO-220F, 3 PIN |
| 文件頁數： | 4/6頁 |
| 文件大小： | 70K |
| 代理商： | FJPF5321 |
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
F
Rev. A, December 2003
Typical Characteristics
(Continued)
Figure 7. Resistive Load Switching Time
Figure 8. Power Derating
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
I
B1
=0.2A, I
B2
=-0.2A
V
CC
=125V
t
F
,
S
μ
s
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
0
25
50
75
100
125
150
175
0
10
20
30
40
50
60
P
C
[
T
C
[
o
C], CASE TEMPERATURE
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FJPF5555 | High Voltage Switch Mode Application |
| FJPF6806D | NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor |
| FJPF9020 | PNP Epitaxial Darlington Transistor |
| FJT1100 | Ultra Low Leakage Diodes |
| FJT1101 | Ultra Low Leakage Diodes |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FJPF5321TU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Silicon Trans RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FJPF5555 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:High Voltage Switch Mode Application |
| FJPF5555TU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 1100V/5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FJPF6806D | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor |
| FJPF6806DTU | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 NPN Si Transistor Tripple Diff Planar RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
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