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參數資料
| 型號： | FLL410IK-3C |
| 廠商： | SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS, INC. |
| 英文描述： | L-Band High Power GaAs FET |
| 中文描述： | L波段高功率GaAs場效應管 |
| 文件頁數： | 4/6頁 |
| 文件大小： | 241K |
| 代理商： | FLL410IK-3C |
FLL410IK-3C
4
■
BOARD LAYOUT(Reference)
ε
r=3.5, t=0.6mm
Unit : mm
<INPUT SIDE>
<OUTPUT SIDE>
εr=3.5
εr=3.5
L-Band High Power GaAs FET
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FLL410IK-4C | L-Band High Power GaAs FET |
| FLL57MK | L-Band Medium & High Power GaAs FET |
| FLL600IQ-2C | L-Band High Power GaAs FET |
| FLL600IQ-2 | Push-Pull Configuration, Broad Frequency Range: 800 to 2000 MHz, Suitable for class AB operation |
| FLL600IQ-3 | L-Band Medium & High Power GaAs FET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FLL410IK-4C | 制造商:SUMITOMO ELECTRIC Device Innovations Inc 功能描述:L-Band High Power GaAs FET (46dBm@3.7GHz), Bulk |
| FLL500IQ-2 | 制造商:FUJITSU 功能描述: |
| FLL500IQ-3 | 制造商:FUJITSU 功能描述: |
| FLL57MK | 制造商:SUMITOMO ELECTRIC Device Innovations Inc 功能描述:Single-end,L-Band, 11.5dB, 2.3GHz, 990mA, Bulk |
| FLL600IQ-2 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:Push-Pull Configuration, Broad Frequency Range: 800 to 2000 MHz, Suitable for class AB operation |
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