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參數(shù)資料
型號: FLL410IK-3C
廠商: SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS, INC.
英文描述: L-Band High Power GaAs FET
中文描述: L波段高功率GaAs場效應管
文件頁數(shù): 5/6頁
文件大小: 241K
代理商: FLL410IK-3C
Package Out Line
PIN ASSIGMENT
1 : GATE
2 : SOURCE
3 : DRAIN
4 : SOURCE
Unit : mm
FLL410IK-3C
5
L-Band High Power GaAs FET
相關PDF資料
PDF描述
FLL410IK-4C L-Band High Power GaAs FET
FLL57MK L-Band Medium & High Power GaAs FET
FLL600IQ-2C L-Band High Power GaAs FET
FLL600IQ-2 Push-Pull Configuration, Broad Frequency Range: 800 to 2000 MHz, Suitable for class AB operation
FLL600IQ-3 L-Band Medium & High Power GaAs FET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
FLL410IK-4C 制造商:SUMITOMO ELECTRIC Device Innovations Inc 功能描述:L-Band High Power GaAs FET (46dBm@3.7GHz), Bulk
FLL500IQ-2 制造商:FUJITSU 功能描述:
FLL500IQ-3 制造商:FUJITSU 功能描述:
FLL57MK 制造商:SUMITOMO ELECTRIC Device Innovations Inc 功能描述:Single-end,L-Band, 11.5dB, 2.3GHz, 990mA, Bulk
FLL600IQ-2 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:Push-Pull Configuration, Broad Frequency Range: 800 to 2000 MHz, Suitable for class AB operation
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