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參數資料
型號： FMM7G30US60N
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Compact & Complex Module
中文描述： 30 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： 24PM-AA, 24 PIN
文件頁數： 2/9頁
文件大小： 972K
代理商： FMM7G30US60N
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
FMM7G30US60N Rev. A
F
Electrical Characteristics of IGBT
@ Inverter & Brake
T
C
= 25
°
C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Units
Off Characteristics
BV
CES
Collector-Emitter Breakdown Voltage
B
VCES
/
T
J
Voltage
I
CES
Collector Cut-Off Current
I
GES
Gate - Emitter Leakage Current
V
GE
= 0V, I
C
= 250uA
600
--
--
V
Temperature Coeff. of Breakdown
V
GE
= 0V, I
C
= 1mA
--
0.6
--
V/
°
C
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
--
--
--
--
250
± 100
uA
nA
On Characteristics
V
GE(th)
Gate - Emitter Threshold Voltage
V
CE(sat)
Collector to Emitter Saturation Voltage
I
C
= 30mA, V
CE
= V
GE
I
C
= 30A
,
V
GE
= 15V
5.0
--
6.5
2.1
8.5
2.7
V
V
Dynamic Characteristics
C
ies
Input Capacitance
C
oes
Output Capacitance
C
res
Reverse Transfer Capacitance
V
CE
= 30V
,
V
GE
= 0V,
f = 1MHz
--
--
--
2100
270
36
--
--
--
pF
pF
pF
Switching Characteristics
t
d(on)
Turn-On Delay Time
t
r
Rise Time
t
d(off)
Turn-Off Delay Time
t
f
Fall Time
E
on
Turn-On Switching Loss
E
off
Turn-Off Switching Loss
t
d(on)
Turn-On Delay Time
t
r
Rise Time
t
d(off)
Turn-Off Delay Time
t
f
Fall Time
E
on
Turn-On Switching Loss
E
off
Turn-Off Switching Loss
V
CC
= 300 V, I
C
= 30A,
R
G
= 15
, V
GE
= 15V,
Inductive Load, T
C
= 25
°
C
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
110
90
150
130
0.9
0.58
100
90
150
200
0.98
0.9
150
200
200
250
--
--
150
200
200
400
--
--
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
V
CC
= 300 V, I
C
= 30A,
R
G
= 15
, V
GE
= 15V,
Inductive Load, T
C
= 125
°
C
T
sc
Short Circuit Withstand Time
V
CC
= 300 V, V
GE
= 15V
@
T
C
= 100
°
C
10
--
--
us
Q
g
Q
ge
Q
gc
Total Gate Charge
Gate-Emitter Charge
Gate-Collector Charge
V
CE
= 300 V, I
C
= 30A,
V
GE
= 15V
--
--
--
90
20
35
150
40
70
nC
nC
nC
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