欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

參數資料
型號: FMM7G30US60N
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: IGBT 晶體管
英文描述: Compact & Complex Module
中文描述: 30 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝: 24PM-AA, 24 PIN
文件頁數: 7/9頁
文件大小: 972K
代理商: FMM7G30US60N
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
FMM7G30US60N Rev. A
F
-25
0
25
50
75
100
125
1
10
Tem
perature, T [
o
C
]
R
e
[
]
-25
0
25
perature [
o
50
75
100
3400
3450
3500
3550
3600
3650
3700
3750
3800
Tem
C
]
B
o
Fig 20. NTC Characteristics
Fig 19. NTC Characteristics
相關PDF資料
PDF描述
FMMD2838 SOT23 SILICON PLANAR HIGH SPEED SWITCHING COMMON CATHODE DIODE PAIR
FMMD6100 SOT23 SILICON PLANAR HIGH SPEED SWITCHING COMMON CATHODE DIODE PAIR
FMMT2222-1BZ SOT23 NPN SILICON PLANAR SWITCHING TRANSISTORS
FMMT2222A-1P SOT23 NPN SILICON PLANAR SWITCHING TRANSISTORS
FMMT2222R-2P POT THUMBWHEEL 10K OHM AUDIO
相關代理商/技術參數
參數描述
FMM7G30US60SI 功能描述:IGBT 模塊 Compact Module Complex RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FMM7G30US60SN 功能描述:IGBT 模塊 Compact Module Complex RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FMM7G50US60I 功能描述:IGBT 模塊 600V 50A Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FMM7G50US60N 功能描述:IGBT 模塊 600V 50A Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FMM942-004-BK 制造商:Panduit Corp 功能描述:
主站蜘蛛池模板: 金乡县| 鸡东县| 正安县| 龙川县| 普洱| 防城港市| 望奎县| 吴川市| 马龙县| 临邑县| 讷河市| 甘孜县| 宜丰县| 布拖县| 昌邑市| 肃南| 慈溪市| 徐水县| 稻城县| 宜君县| 孟连| 商都县| 象州县| 盐亭县| 甘德县| 阳曲县| 海城市| 怀宁县| 锡林郭勒盟| 南康市| 开封市| 鄄城县| 万州区| 上虞市| 辉县市| 孟村| 天津市| 永平县| 宜昌市| 尉犁县| 咸丰县|