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參數資料
| 型號： | FMM7G30US60N |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | Compact & Complex Module |
| 中文描述： | 30 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | 24PM-AA, 24 PIN |
| 文件頁數： | 4/9頁 |
| 文件大小： | 972K |
| 代理商： | FMM7G30US60N |
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
FMM7G30US60N Rev. A
F
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
0.005
0.01
0.1
1
5
IGBT :
DIODE :
T
℃
/
Rectangular Pulse Duration [sec]
0.1
1
10
0
1000
2000
3000
4000
5000
C
V
om
m
on Em
itter
G
C
= 25
o
E
= 0 V, f = 1 M
C
H
z
T
C
res
C
oes
C
ies
C
ollector - Em
itter Voltage, V
C
E
[V]
C
a
0
1
2
3
4
5
6
0
20
40
60
80
100
20V
18V
16V
15V
14V
12V
V
GE
= 10V
C
ollector - Em
itter Voltage, V
C
E(sat)
[V]
C
o
u
C
]
Common Emitter
T
C
= 25
o
C
1
10
0
20
40
60
80
100
120
Common Emitter
V
GE
= 15 V
T
C
= 25
℃
━━
T
C
= 125
℃
------
C
ollector - Em
itter Voltage, V
C
E(sat)
[V]
C
o
u
C
]
-50
0
50
100
150
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
30 A
15 A
60 A
C
o
i
C
E
C
ase Tem
perature, T
C
[
o
C
]
Common Emitter
V
GE
= 15 V
0
1
2
3
4
5
6
0
20
40
60
80
100
20V
18V
15V
16V
14V
12V
V
GE
= 10V
C
ollector - Em
itter Voltage, V
C
E(sat)
[V]
C
o
u
C
]
Common Emitter
T
C
= 125
o
C
Fig 1. Typical Output Characteristics
Fig 2. Typical Saturation Voltage
Characteristics
Fig 3. Typical Saturation Voltage
Characteristics
Fig 5. Transient Thermal Impedance
Fig 6. Capacitance Characteristics
Fig 4. Saturation Voltage vs. Case
Temperature at Variant Current Level
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PDF描述 |
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