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參數(shù)資料
| 型號： | FMM7G30US60N |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | Compact & Complex Module |
| 中文描述： | 30 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | 24PM-AA, 24 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 5/9頁 |
| 文件大小： | 972K |
| 代理商： | FMM7G30US60N |
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
FMM7G30US60N Rev. A
F
20
30
40
50
60
100
1000
10000
Eoff
Eon
Common Emitter
V
GE
=
±
15V, R
G
= 15
T
C
= 25
℃
━━
T
C
= 125
℃
------
S
i
C
ollector C
urrent, I
C
[A
]
20
30
40
50
60
100
1000
Tf
Toff
C
ollector C
urrent, I
C
[A
]
S
i
e
Common Emitter
V
GE
=
±
15V, R
G
= 15
T
C
= 25
℃
━━
T
C
= 125
℃
------
20
30
40
50
60
100
1000
Ton
Tr
S
i
e
C
ollector C
urrent, I
C
[A
]
Common Emitter
V
GE
=
±
15V, R
G
= 15
T
C
= 25
℃
━━
T
C
= 125
℃
------
20
40
60
80
100
100
1000
10000
Eon
Eoff
G
ate R
esistance, R
g[
]
S
i
Common Emitter
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
I
C
= 30A
T
C
= 25
℃
━━
T
C
= 125
℃
------
20
40
ate R
60
80
100
100
1000
Tr
Ton
G
esistance, R
g[
]
S
i
e
Common Emitter
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
I
C
= 30A
T
C
= 25
℃
━━
T
C
= 125
℃
------
20
40
60
80
100
100
1000
Tf
Toff
G
ate R
esistance, R
g[
]
S
i
e
Common Emitter
V
= 300V, V
GE
=
±
15V
I
C
= 30A
T
C
= 25
℃
━━
T
C
= 125
℃
------
Fig 7. Turn-On Characteristics vs.
Gate Resistance
Fig 8. Turn-Off Characteristics vs.
Gate Resistance
Fig 11. Turn-Off Characteristics vs.
Collector Current
Fig 12. Switching Loss vs. Collector Current
Fig 9. Switching Loss vs. Gate Resistance
Fig 10. Turn-On Characteristics vs.
Collector Current
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