- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄385322 > GS832418B (GSI TECHNOLOGY) 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs PDF資料下載
參數資料
| 型號： | GS832418B |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 英文描述： | 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 200萬× 18，100萬× 36，為512k × 72分配36MB的S /雙氰胺同步突發靜態存儲器 |
| 文件頁數： | 10/46頁 |
| 文件大小： | 1149K |
| 代理商： | GS832418B |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁當前第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁
Rev: 1.00 10/2001
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
10/46
2001, Giga Semiconductor, Inc.
Preliminary
GS832418(B/C)/GS832436(B/C)/GS832472(C)
U3
TDI
I
Scan Test Data In
U5
TDO
O
Scan Test Data Out
U4
TCK
V
DD
I
Scan Test Clock
J2, C4, J4, R4, J6
I
Core power supply
D3, E3, F3, H3, K3, M3, N3, P3, D5,
E5, F5, H5, K5, M5, N5, P5
V
SS
I
I/O and Core Ground
L4
V
SS
I
I/O and Core Ground
A1, F1, J1, M1, U1, A7, F7, J7, M7,
U7
V
DDQ
I
Output driver power supply
GS832418/36 119-Bump BGA Pin Description
Pin Location
Symbol
Type
Description
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS832418B-133 | 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS832418B-133I | 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS832418B-150 | 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS832436B-200 | 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS832436B-200I | 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| GS8324Z36B-133 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 2.5V/3.3V 36MBIT 1MX36 10NS/4NS 119FBGA - Trays |
| GS8324Z36B-200I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 2.5V/3.3V 36MBIT 1MX36 7.5NS/3NS 119FBGA - Trays |
| GS8324Z72C200 | 制造商:G.S.I. 功能描述: |
| GS8342D06BD-350 | 制造商:GSI Technology 功能描述:165 FBGA - Bulk |
| GS8342D06BD-500 | 制造商:GSI Technology 功能描述:165 FBGA - Bulk |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。