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參數資料
| 型號： | GS832418B |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 英文描述： | 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 200萬× 18，100萬× 36，為512k × 72分配36MB的S /雙氰胺同步突發靜態存儲器 |
| 文件頁數： | 5/46頁 |
| 文件大小： | 1149K |
| 代理商： | GS832418B |
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Rev: 1.00 10/2001
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
5/46
2001, Giga Semiconductor, Inc.
Preliminary
GS832418(B/C)/GS832436(B/C)/GS832472(C)
GS832418/36/72 209-Bump BGA Pin Description
Pin Location
W6, V6
Symbol
A
0
, A
1
Type
I
Description
Address field LSBs and Address Counter Preset Inputs.
W7, W5, V9, V8, V7, V5, V4, V3, U8, U7, U6,
U5, U4, A3, B7, A9, U9
B5
C7
L11, M11, N11, P11, L10, M10, N10, P10, R10
A10, B10, C10, D10, A11, B11, C11, D11, E11
J1, H1, G1, F1, J2, H2, G2, F2, E2
W2, V2, U2, T2, W1, V1, U1, T1, R1
W10, V10, U10, T10, W11, V11, U11, T11, R11
J11, H11, G11, F11, J10, H10, G10, F10, E10
A2, B2, C2, D2, A1, B1, C1, D1, E1
L1, M1, N1, P1, L2, M2, N2, P2, R2
L11, M11, N11, P11, L10, M10, N10, P10, R10
A10, B10, C10, D10, A11, B11, C11, D11, E11
J1, H1, G1, F1, J2, H2, G2, F2, E2
W2, V2, U2, T2, W1, V1, U1, T1, R1
L11, M11, N11, P11, L10, M10, N10, P10, R10
J1, H1, G1, F1, J2, H2, G2, F2, E2
An
I
Address Inputs
A
19
A
20
I
I
Address Inputs (x36/x18 Versions)
Address Inputs (x18 Version)
DQ
A1
–
DQ
A9
DQ
B1
–
DQ
B9
DQ
C1
–
DQ
C9
DQ
D1
–
DQ
D9
DQ
E1
–
DQ
E9
DQ
F1
–
DQ
F9
DQ
G1
–
DQ
G9
DQ
H1
–
DQ
H9
DQ
A1
–
DQ
A9
DQ
B1
–
DQ
B9
DQ
C1
–
DQ
C9
DQ
D1
–
DQ
D9
DQ
A1
–
DQ
A9
DQ
B1
–
DQ
B9
I/O
Data Input and Output pins (x72 Version)
I/O
Data Input and Output pins (x36 Version)
I/O
Data Input and Output pins (x18 Version)
C9, B8
B
A
, B
B
I
Byte Write Enable for DQ
A
, DQ
B
I/Os; active low
B3, C4
B
C
,B
D
I
Byte Write Enable for DQ
C
, DQ
D
I/Os; active low
(x72/x36 Versions)
Byte Write Enable for DQ
E
, DQ
F
, DQ
G
, DQ
H
I/Os; active low
(x72 Version)
No Connect (x72 Version)
No Connect (x72/x36 Versions)
C8, B9, B4, C3
B
E
, B
F
, B
G
,B
H
I
B5
C7
NC
NC
—
—
W10, V10, U10, T10, W11, V11, U11, T11, R11
J11, H11, G11, F11, J10, H10, G10, F10, E10
A2, B2, C2, D2, A1, B1, C1, D1, E1
L1, M1, N1, P1, L2, M2, N2, P2, R2, C8, B9,
B4, C3
B3, C4
C5, D4, D5, D8, K1, K2, K4, K8, K9, K10, K11,
T4, T5, T7, T8, U3
K3
NC
—
No Connect (x36/x18 Versions)
NC
—
No Connect (x18 Version)
NC
—
No Connect
CK
I
Clock Input Signal; active high
D7
GW
I
Global Write Enable—Writes all bytes; active low
C6
E
1
I
Chip Enable; active low
A8
E
3
I
Chip Enable; active low (x72/x36 Versions)
A4
E
2
I
Chip Enable; active high (x72/x36 Versions)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS832418B-133 | 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS832418B-133I | 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| GS8324Z36B-200I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 2.5V/3.3V 36MBIT 1MX36 7.5NS/3NS 119FBGA - Trays |
| GS8324Z72C200 | 制造商:G.S.I. 功能描述: |
| GS8342D06BD-350 | 制造商:GSI Technology 功能描述:165 FBGA - Bulk |
| GS8342D06BD-500 | 制造商:GSI Technology 功能描述:165 FBGA - Bulk |
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