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參數(shù)資料
型號: GS832418B
廠商: GSI TECHNOLOGY
英文描述: 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
中文描述: 200萬× 18,100萬× 36,為512k × 72分配36MB的S /雙氰胺同步突發(fā)靜態(tài)存儲器
文件頁數(shù): 3/46頁
文件大小: 1149K
代理商: GS832418B
Rev: 1.00 10/2001
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
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2001, Giga Semiconductor, Inc.
Preliminary
GS832418(B/C)/GS832436(B/C)/GS832472(C)
GS832436C Pad Out
209-Bump BGA—Top View
1
2
3
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5
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A
NC
NC
A15
E2
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W
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DQ
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TMS
TDI
A3
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TDO
TCK
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NC
W
11 x 19 Bump BGA—14 x 22 mm
2
Body—1 mm Bump Pitch
相關PDF資料
PDF描述
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GS832418B-133I 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
GS832418B-150 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
GS832436B-200 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
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相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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GS8324Z36B-200I 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 2.5V/3.3V 36MBIT 1MX36 7.5NS/3NS 119FBGA - Trays
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GS8342D06BD-350 制造商:GSI Technology 功能描述:165 FBGA - Bulk
GS8342D06BD-500 制造商:GSI Technology 功能描述:165 FBGA - Bulk
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