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參數資料
| 型號： | GS832418B |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 英文描述： | 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 200萬× 18，100萬× 36，為512k × 72分配36MB的S /雙氰胺同步突發靜態存儲器 |
| 文件頁數： | 38/46頁 |
| 文件大小： | 1149K |
| 代理商： | GS832418B |
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Rev: 1.00 10/2001
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
38/46
2001, Giga Semiconductor, Inc.
Preliminary
GS832418(B/C)/GS832436(B/C)/GS832472(C)
JTAG Port Recommended Operating Conditions and DC Characteristics
JTAG Port AC Test Conditions
Parameter
Symbol
V
IHJ3
V
ILJ3
V
IHJ2
V
ILJ2
I
INHJ
I
INLJ
I
OLJ
V
OHJ
V
OLJ
V
OHJC
V
OLJC
Min.
Max.
V
DD3
+0.3
Unit Notes
3.3 V Test Port Input High Voltage
2.0
V
1
3.3 V Test Port Input Low Voltage
–
0.3
0.8
V
1
2.5 V Test Port Input High Voltage
0.6 * V
DD2
V
DD2
+0.3
0.3 * V
DD2
V
1
2.5 V Test Port Input Low Voltage
–
0.3
V
1
TMS, TCK and TDI Input Leakage Current
–
300
1
uA
2
TMS, TCK and TDI Input Leakage Current
–
1
100
uA
3
TDO Output Leakage Current
–
1
1
uA
4
Test Port Output High Voltage
1.7
—
V
5, 6
Test Port Output Low Voltage
—
0.4
V
5, 7
Test Port Output CMOS High
V
DDQ
– 100 mV
—
V
5, 8
Test Port Output CMOS Low
—
100 mV
V
5, 9
Notes:
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
9.
Input Under/overshoot voltage must be
–
2 V > Vi < V
DDn
+2 V not to exceed 4.6 V maximum, with a pulse width not to exceed 20% tTKC.
V
ILJ
≤
V
IN
≤
V
DDn
0 V
≤
V
IN
≤
V
ILJn
Output Disable, V
OUT
= 0 to V
DDn
The TDO output driver is served by the V
DDQ
supply.
I
OHJ
=
–
4 mA
I
OLJ
= + 4 mA
I
OHJC
= –100 uA
I
OHJC
= +100 uA
Notes:
1.
2.
Include scope and jig capacitance.
Test conditions as as shown unless otherwise noted.
Parameter
Input high level
Input low level
Input slew rate
Input reference level
Output reference level
Conditions
2.3 V
0.2 V
1 V/ns
1.25 V
1.25 V
DQ
V
T
= 1.25 V
50
30pF
*
JTAG Port AC Test Load
* Distributed Test Jig Capacitance
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PDF描述 |
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