欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

參數資料
型號： HY27SS16121M
廠商： Hynix Semiconductor Inc.
英文描述： 512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash
中文描述： 512兆（64Mx8bit / 32Mx16bit）NAND閃存
文件頁數： 29/43頁
文件大小： 729K
代理商： HY27SS16121M
Rev 0.6 / Oct. 2004
29
HY27SS(08/16)121M Series
HY27US(08/16)121M Series
512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash
Table 15: AC Characteristics for Operation (3.3V Device and 1.8V Device)
Alt.
Sym-
bol
Sym-
bol
Parameter
3.3V
Device
1.8V
Device
Unit
t
ALLRL1
t
AR1
Address Latch Low to Read Enable
Low
Read Electronic Signature
Min
10
25
ns
t
ALLRL2
t
AR2
Read cycle
Min
50
80
ns
t
BHRL
t
RR
Ready/Busy High to Read Enable Low
Min
20
ns
t
BLBH1
t
R
Ready/Busy Low to Ready/Busy High
Read Busy time, 512Mb, 1Gb
4)
Max
12
15
us
t
BLBH2
t
PROG
Program Busy time
Max
500
us
t
BLBH3
t
BERS
Erase Busy time
Max
3
ms
t
BLBH4
t
RST
Reset Busy time, during ready
Max
5
us
Reset Busy time, during read
Max
5
us
Reset Busy time, during program
Max
10
us
Reset Busy time, during erase
Max
500
us
t
CLLRL
t
CLR
Command Latch Low to Read Enable Low
Min
10
ns
t
DZRL
t
IR
Data Hi-Z to Read Enable Low
Min
0
ns
t
EHBH
t
CRY
Chip Enable High to Ready/Busy High (CE intercepted read)
Max
70+tr
(1)
ns
t
EHEL
t
CEH
Chip Enable High to Chip Enable Low
(2)
Min
100
ns
t
EHQZ
t
CHZ
Chip Enable High to Output Hi-Z
Max
20
ns
t
ELQV
t
CEA
Chip Enable Low to Output Valid
Max
45
75
ns
t
RHBL
t
RB
Read Enable High to Ready/Busy Low
Max
100
ns
t
RHRL
t
REH
Read Enable High to Read Enable
Low
Read Enable High Hold time
Min
15
20
ns
t
RHQZ
t
RHZ
Read Enable High to Output Hi-Z
Min
15
ns
Max
30
t
RLRH
t
RP
Read Enable Low to Read Enable
High
Read Enable Pulse Width
Min
30
60
ns
t
RLRL
t
RC
Read Enable Low to Read Enable Low
Read Cycle time
Min
50
80
ns
t
RLQV
t
REA
Read Enable Low to Output Valid
Read Enable Access time
Max
35
60
ns
t
READID
Read ES Access time
45
t
WHBH
t
R
Write Enable High to Ready/Busy High
Max
12
15
us
t
WHBL
t
WB
Write Enable High to Ready/Busy Low
Max
100
ns
相關PDF資料
PDF描述
HY27US08121M 512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash
HY27USxxx 512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash
HY27US16121M 512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash
HY29F002TC-70 2 Megabit (256K x 8), 5 Volt-only, Flash Memory
HY29F002TC-45 2 Megabit (256K x 8), 5 Volt-only, Flash Memory
相關代理商/技術參數
參數描述
HY27SS16561A 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:256Mbit (32Mx8bit / 16Mx16bit) NAND Flash
HY27SS16561M 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:256Mbit (32Mx8bit / 16Mx16bit) NAND Flash
HY27SS561M 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:256Mbit (32Mx8bit / 16Mx16bit) NAND Flash
HY27SSXXX 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash
HY27UA081G1M 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發布成功！您可以繼續發布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發布成功！您可以繼續發布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯系方式

*
*
*
主站蜘蛛池模板： 凤冈县| 宜宾县| 大新县| 黄冈市| 城步| 军事| 台东县| 焉耆| 印江| 正阳县| 平湖市| 新津县| 连云港市| 宁南县| 根河市| 皋兰县| 江源县| 贵州省| 天镇县| 嵊泗县| 韶山市| 梧州市| 宁强县| 三江| 邮箱| 克什克腾旗| 沁阳市| 广宁县| 宜昌市| 安丘市| 平原县| 北票市| 白城市| 余庆县| 南城县| 咸阳市| 德兴市| 山丹县| 青岛市| 海淀区| 南靖县|