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參數資料
| 型號： | HY27US08121M |
| 廠商： | Hynix Semiconductor Inc. |
| 英文描述： | 512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash |
| 中文描述： | 512兆（64Mx8bit / 32Mx16bit）NAND閃存 |
| 文件頁數： | 15/43頁 |
| 文件大小： | 729K |
| 代理商： | HY27US08121M |
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Rev 0.6 / Oct. 2004
15
HY27SS(08/16)121M Series
HY27US(08/16)121M Series
512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash
Note:
1. If t
ELWL
is less than 10ns, t
WLWH
must be minimum 35ns, otherwise, t
WLWH
may be minimum 25ns.
Note:
1. Highest address depends on device density.
Figure 10. Read (A, B, C) Operation
Figure 11. Read Block Diagrams
CLE
ALE
I/O
RB
tBLBH1
(read)
00h/
01h/ 50h
Command
Code
Address Input
Data Output (sequentially)
Busy
CE
WE
RE
Area A
(1st half Page)
Area B
(2nd half
Page)
Area C
(Spare)
Read A Command, x8 Devices
A9-A25(1)
A0-A7
Area C
(50h)
Read A Command, x16 Devices
Area A
(main area)
A9-A25(1)
A0-A7
Area A
Area C
(Spare)
Read C Command, x8/x16 Devices
A9-A25(1)
A0-A3 (x8)
A0-A2 (x16)
Area A/B
A4-A7 (x8), A3-A7 (x16) are don't care
Area A
(1st half Page)
Area C
(Spare)
Read B Command, x8 Devices
A9-A25(1)
A0-A7
Area B
(2nd half
Page)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY27USxxx | 512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash |
| HY27US16121M | 512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash |
| HY29F002TC-70 | 2 Megabit (256K x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
| HY29F002TC-45 | 2 Megabit (256K x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
| HY29F002TC-55 | 2 Megabit (256K x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| HY27US08122B | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash |
| HY27US081G1M | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash |
| HY27US08281A | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:128Mbit (16Mx8bit / 8Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27US08282A | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:128Mbit (16Mx8bit / 8Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27US08561A | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:256Mbit (32Mx8bit / 16Mx16bit) NAND Flash |
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