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參數資料
型號： HY27US08121M
廠商： Hynix Semiconductor Inc.
英文描述： 512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash
中文描述： 512兆（64Mx8bit / 32Mx16bit）NAND閃存
文件頁數： 24/43頁
文件大?。?/td> 729K
代理商： HY27US08121M
Rev 0.6 / Oct. 2004
24
HY27SS(08/16)121M Series
HY27US(08/16)121M Series
512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash
Table 8: Valid Block
PROGRAM AND ERASE TIMES AND ENDURANCE CYCLES
The Program and Erase times and the number of Program/ Erase cycles per block are shown in Table 9.
Symbol
Para.
Min
Max
Unit
N
VB
# of Valid Block
4016
4096
Blocks
Figure 20. Bad Block Management Flowchart
START
Block Address=
Block 0
Data
=FFh
Last
block
END
Update
Bad Block table
Increment
Block Address
YES
NO
YES
NO
相關PDF資料
PDF描述
HY27USxxx 512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash
HY27US16121M 512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash
HY29F002TC-70 2 Megabit (256K x 8), 5 Volt-only, Flash Memory
HY29F002TC-45 2 Megabit (256K x 8), 5 Volt-only, Flash Memory
HY29F002TC-55 2 Megabit (256K x 8), 5 Volt-only, Flash Memory
相關代理商/技術參數
參數描述
HY27US08122B 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash
HY27US081G1M 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash
HY27US08281A 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:128Mbit (16Mx8bit / 8Mx16bit) NAND Flash Memory
HY27US08282A 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:128Mbit (16Mx8bit / 8Mx16bit) NAND Flash Memory
HY27US08561A 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:256Mbit (32Mx8bit / 16Mx16bit) NAND Flash
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