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參數資料
| 型號： | HY27US08121M |
| 廠商： | Hynix Semiconductor Inc. |
| 英文描述： | 512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash |
| 中文描述： | 512兆（64Mx8bit / 32Mx16bit）NAND閃存 |
| 文件頁數： | 4/43頁 |
| 文件大小： | 729K |
| 代理商： | HY27US08121M |
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Rev 0.6 / Oct. 2004
4
HY27SS(08/16)121M Series
HY27US(08/16)121M Series
512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash
I/O
8-15
Data Input/Outputs for x16 Device
I/O
0-7
Data Input/Output, Address Inputs, or Com-
mand Inputs for x8 and x16 device
ALE
Address Latch Enable
CLE
Command Latch Enable
CE
Chip Enable
RE
Read Enable
RB
Read/Busy (open-drain output)
WE
Write Enable
WP
Write Protect
VCC
Supply Voltage
VSS
Ground
NC
Not Connected Internally
DU
Do Not Use
Table 1: Signal Name
Figure 1: Logic Diagram
Figure 2. LOGIC BLOCK DIAGRAM
NAND
Flash
Vcc
Vss
ALE
CLE
CE
RE
WE
WP
I/O8-I/O15, x16
I/O0-I/O7, x8/x16
RB
I/O Buffers &
Latches
Page Buffer
Cache Register
Y Decoder
NAND Flash
Memory Array
Address
Register/Counter
Command
Interface
Logic
Command Register
P/E/R
Controller,
High Voltage
Generator
X
ALE
CLE
WE
CE
WP
RE
I/O8-I/O15, x16
I/O0-I/O7, x8/x16
RB
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY27USxxx | 512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash |
| HY27US16121M | 512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash |
| HY29F002TC-70 | 2 Megabit (256K x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
| HY29F002TC-45 | 2 Megabit (256K x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
| HY29F002TC-55 | 2 Megabit (256K x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| HY27US08122B | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash |
| HY27US081G1M | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash |
| HY27US08281A | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:128Mbit (16Mx8bit / 8Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27US08282A | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:128Mbit (16Mx8bit / 8Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27US08561A | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:256Mbit (32Mx8bit / 16Mx16bit) NAND Flash |
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