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參數資料
型號： HY27US16561M
廠商： Hynix Semiconductor Inc.
英文描述： 256Mbit (32Mx8bit / 16Mx16bit) NAND Flash
中文描述： 片256Mbit（32Mx8bit / 16Mx16bit）NAND閃存
文件頁數： 35/44頁
文件大小： 733K
代理商： HY27US16561M
Rev 0.7 / Oct. 2004
35
HY27SS(08/16)561M Series
HY27US(08/16)561M Series
256Mbit (32Mx8bit / 16Mx16bit) NAND Flash
Figure 29. Page Program AC Waveform
I/O
WE
CE
CLE
ALE
RE
RB
N
Last
10h
70h
SR0
tWLWL
(Write Cycle time)
tWLWL
tWLWL
tWHBL
tBLBH2
(Program Busy time)
Address Input
Data Input
Confirm
Code
Page
Program
Read Status
Register
80h
Add. N
cycle 1
Add. N
cycle 2
Add. N
cycle 3
Page Program
Setup Code
相關PDF資料
PDF描述
HY27US561M 256Mbit (32Mx8bit / 16Mx16bit) NAND Flash
HY27SS16561M 256Mbit (32Mx8bit / 16Mx16bit) NAND Flash
HY27US08561M 256Mbit (32Mx8bit / 16Mx16bit) NAND Flash
HY27SSxxx 512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash
HY27SS08121M 512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash
相關代理商/技術參數
參數描述
HY27US561M 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:256Mbit (32Mx8bit / 16Mx16bit) NAND Flash
HY27USXXX 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash
HY29DL162 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:16M(X8/X16)|3.0V DUAL BANK|70|NOR FLASH - 16M
HY29DL162BF-12 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:16 Megabit (2M x 8/1M x16) Low Voltage, Dual Bank, Simultaneous Read/Write Flash Memory
HY29DL162BF-12I 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:16 Megabit (2M x 8/1M x16) Low Voltage, Dual Bank, Simultaneous Read/Write Flash Memory
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