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參數(shù)資料
| 型號： | HY29F002TT-70 |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 2 Megabit (256K x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
| 中文描述： | 256K X 8 FLASH 5V PROM, 70 ns, PDSO32 |
| 封裝： | TSOP-32 |
| 文件頁數(shù)： | 27/38頁 |
| 文件大小： | 381K |
| 代理商： | HY29F002TT-70 |
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27
Rev. 4.1/May 01
HY29F002T
AC CHARACTERISTICS
Notes:
1. SA =Sector Address (for sector erase), VA = Valid Address for reading status data (see Write Operation Status section),
D
OUT
is the true data at the read address.(0xFF after an erase operation).
2. V
CC
shown only to illustrate t
VCS
measurement references. It cannot occur as shown during a valid command sequence.
Figure 16. Sector/Chip Erase Operation Timings
Addresses
CE#
t
WC
0x2AA
VA
VA
SA
OE#
t
AS
t
AH
t
WPH
t
WP
t
GHWL
t
CS
t
CH
WE#
Data
t
DS
t
DH
0x55
0x30
Status
D
OUT
t
WHWH2
or t
WHWH3
t
VCS
V
CC
Erase Command Sequence (last two cycles)
Read Status Data (last two cycles)
0x555 for chip erase
0x10 for
chip erase
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY29F002TT-90 | 2 Megabit (256K x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
| HY29F040A | 512K x 8-bit CMOS 5.0 volt-only, Sector Erase Flash Memory |
| HY29F080T70 | 8 Megabit (1M x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
| HY29F080 | 8 Megabit (1M x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
| HY29F080G12 | 8 Megabit (1M x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY29F002TT-70E | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM |
| HY29F002TT-70I | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM |
| HY29F002TT-90 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:2 Megabit (256K x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
| HY29F002TT-90E | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM |
| HY29F002TT-90I | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM |
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