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參數資料
型號: HY29F002TT-70
廠商: HYNIX SEMICONDUCTOR INC
元件分類: DRAM
英文描述: 2 Megabit (256K x 8), 5 Volt-only, Flash Memory
中文描述: 256K X 8 FLASH 5V PROM, 70 ns, PDSO32
封裝: TSOP-32
文件頁數: 32/38頁
文件大?。?/td> 381K
代理商: HY29F002TT-70
32
Rev. 4.1/May 01
HY29F002T
AC CHARACTERISTICS
Figure 22. Temporary Sector Unprotect Timings
t
VIDR
WE#
CE#
RESET#
V
ID
0 or 5V
t
RSP
t
VIDR
0 or 5V
相關PDF資料
PDF描述
HY29F002TT-90 2 Megabit (256K x 8), 5 Volt-only, Flash Memory
HY29F040A 512K x 8-bit CMOS 5.0 volt-only, Sector Erase Flash Memory
HY29F080T70 8 Megabit (1M x 8), 5 Volt-only, Flash Memory
HY29F080 8 Megabit (1M x 8), 5 Volt-only, Flash Memory
HY29F080G12 8 Megabit (1M x 8), 5 Volt-only, Flash Memory
相關代理商/技術參數
參數描述
HY29F002TT-70E 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM
HY29F002TT-70I 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM
HY29F002TT-90 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:2 Megabit (256K x 8), 5 Volt-only, Flash Memory
HY29F002TT-90E 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM
HY29F002TT-90I 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM
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