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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HY29F002TT-70 |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 2 Megabit (256K x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
| 中文描述： | 256K X 8 FLASH 5V PROM, 70 ns, PDSO32 |
| 封裝： | TSOP-32 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 34/38頁(yè) |
| 文件大小： | 381K |
| 代理商： | HY29F002TT-70 |
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34
Rev. 4.1/May 01
HY29F002T
AC CHARACTERISTICS
Notes:
1.
PA = program address, PD = program data, VA = Valid Address for reading program or erase status (see Write
Operation Status section), D
OUT
= array data read at VA.
Illustration shows the last two cycles of the program or erase command sequence and the last status read cycle.
Word mode addressing shown.
RESET# shown only to illustrate t
RH
measurement references. It cannot occur as shown during a valid command
sequence.
2.
3.
4.
Figure 23. Alternate CE# Controlled Write Operation Timings
0x555 for Program
0x2AA for Erase
PA for Program
SA for Sector Erase
0x555 for Chip Erase
t
WS
t
RH
t
WH
CE#
OE#
Addresses
t
WC
VA
t
AS
t
AH
WE#
Data
t
DS
Status
D
OUT
t
WHWH1
or t
WHWH2
or t
WHWH3
t
DH
0xA0 for Program
0x55 for Erase
PD for Program
0x30 for Sector Erase
0x10 for Chip Erase
RESET#
t
CP
t
CPH
t
GHEL
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY29F002TT-90 | 2 Megabit (256K x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
| HY29F040A | 512K x 8-bit CMOS 5.0 volt-only, Sector Erase Flash Memory |
| HY29F080T70 | 8 Megabit (1M x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
| HY29F080 | 8 Megabit (1M x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
| HY29F080G12 | 8 Megabit (1M x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY29F002TT-70E | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM |
| HY29F002TT-70I | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM |
| HY29F002TT-90 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:2 Megabit (256K x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
| HY29F002TT-90E | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM |
| HY29F002TT-90I | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM |
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