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1N5417US

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  • 1N5417US
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  • 標準國際(香港)有限公司
    標準國際(香港)有限公司

    聯系人:朱小姐

    電話:83617149

    地址:新華強廣場2樓Q2B036室?|?公司: 深圳市福田區華強北路賽格廣場58樓5813室

    資質:營業執照

  • 986

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  • 公司現貨,只做原裝!

  • 1N5417US
    1N5417US

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  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室

    資質:營業執照

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  • 原廠封裝

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  • 全新庫存現貨 電話010-6210493...

  • 1N5417US
    1N5417US

    1N5417US

  • 北京京華特科技有限公司
    北京京華特科技有限公司

    聯系人:張小姐/韓先生

    電話:010-86398446-8061581080972213911315253

    地址:北京市朝陽區建國門外大街9號樓603室

  • 1

  • MICROCHIP

  • N/A ㊣品

  • N/A 原裝進口

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  • 1N5417US
    1N5417US

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  • 深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
    深圳市鴻昌盛電子科技有限公司

    聯系人:陳小姐

    電話:13428937514

    地址:門市: 新華強廣場2樓公司: 深圳市福田區華強北路賽格廣場58樓5813室

    資質:營業執照

  • 986

  • MSC

  • -
  • 公司現貨,只做原裝!

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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • Diode Switching 200V 3A 2-Pin E-MELF
  • 制造商
  • Sensitron Semiconductors
  • 功能描述
  • Diode Switching 200V 3A 2-Pin MELF-B
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • FAST RECOVERY RECTFR 200V 3A 2PIN E-MELF - Bulk
  • 制造商
  • Microsemi
  • 功能描述
  • Diode Switching 200V 3A 2-Pin E-MELF
1N5417US 技術參數
  • 1N5417TR 功能描述:DIODE AVALANCHE 200V 3A SOD64 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 二極管類型:雪崩 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 電流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 9A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):100ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 200V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SOD-64,軸向 供應商器件封裝:SOD-64 工作溫度 - 結:-55°C ~ 175°C 標準包裝:2,500 1N5417-TAP 功能描述:DIODE AVALANCHE 200V 3A SOD64 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:有效 二極管類型:雪崩 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 電流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 9A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):100ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 200V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SOD-64,軸向 供應商器件封裝:SOD-64 工作溫度 - 結:-55°C ~ 175°C 標準包裝:2,500 1N5417C.TR 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 4.5A AXIAL 制造商:semtech corporation 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 電流 - 平均整流(Io):4.5A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.1V @ 3A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):150ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 200V 不同?Vr,F 時的電容:250pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:軸向 供應商器件封裝:軸向 工作溫度 - 結:- 標準包裝:1 1N5417 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 電流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 9A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):150ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 200V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SQ-MELF,B 供應商器件封裝:B,SQ-MELF 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N5416US 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 3A D5B 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 電流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 9A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):150ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 100V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:E-MELF 供應商器件封裝:D-5B 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N5420US 1N5518B 1N5518B (DO35) 1N5518BUR-1 1N5519B 1N5519B (DO35) 1N5519BUR-1 1N5520B 1N5520B (DO35) 1N5520BUR-1 1N5521B 1N5521B (DO35) 1N5521BUR-1 1N5522B 1N5522B (DO35) 1N5522BUR-1 1N5523B-1 1N5523BUR-1
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