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1N551

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1N551
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
86530
MICROSEMI
MODULE
最新批號
-
代理此型號，原裝正品現貨?。?/p>

1N551
深圳市科思奇電子科技有限公司
深圳市科思奇電子科技有限公司
聯系人：林小姐/歐陽先生
電話：0755-832450508278593918923762408微信同號
地址：深圳市福田區上步工業區501棟1109-1110室
資質：營業執照
6000
MICROSEMI
原廠原裝
23+
-
只做原裝正品

1N5518B
標準國際(香港)有限公司
標準國際(香港)有限公司
聯系人：朱小姐
電話：83617149
地址：新華強廣場2樓Q2B036室?|?公司: 深圳市福田區華強北路賽格廣場58樓5813室
資質：營業執照
326
MSC
-
公司現貨!只做原裝!

1N551
深圳市興合盛科技發展有限公司
深圳市興合盛科技發展有限公司
聯系人：銷售經理：馬先生
電話：0755-8335078918923859456
地址：深圳市福田區華強北街道華航社區中航路都會B座10012M
資質：營業執照
26550
MICROSEMI
正品封裝
23+
-
正規商現貨供應

1N5518DTR
北京首天偉業科技有限公司
北京首天偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 廣東省深圳市福田區華強北街道電子科技大廈C座23E
資質：營業執照
5000
CENTRAL SEMI
NULL
NULL
-
百分百原裝正品，質量保障價格及優

1N5519BUR-1JANTX
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
聯系人：陳小姐
電話：13428937514
地址：門市: 新華強廣場2樓公司: 深圳市福田區華強北路賽格廣場58樓5813室
資質：營業執照
15
MSC
2007/2008
-
公司現貨,只做原裝！

1/1頁 40條/頁共17條
1

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1N551 技術參數

1N5420US 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 3A D5B 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 9A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:400ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 600V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:E-MELF 供應商器件封裝:D-5B 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N5420 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 3A B-MELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 9A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:400ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 600V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:SQ-MELF，B 供應商器件封裝:B，SQ-MELF 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N5419US 功能描述:DIODE GEN PURP 500V 3A D5B 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:500V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 9A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:250ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 500V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:E-MELF 供應商器件封裝:D-5B 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N5419E3 功能描述:DIODE GEN PURP 500V 3A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:500V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 9A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:250ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 500V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:B，軸向供應商器件封裝:- 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N5419 功能描述:DIODE GEN PURP 500V 3A B-MELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:500V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 9A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:250ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 500V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:SQ-MELF，B 供應商器件封裝:B，SQ-MELF 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N5521B 1N5521B (DO35) 1N5521BUR-1 1N5522B 1N5522B (DO35) 1N5522BUR-1 1N5523B-1 1N5523BUR-1 1N5524B 1N5524B (DO35) 1N5525B 1N5525B (DO35) 1N5525B-1 1N5526B (DO35) 1N5526BUR-1 1N5527B 1N5527B (DO35) 1N5527BUR-1

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