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1N6009C

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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • ZENER SGL 24V 2% 480MW 2PIN DO-35 - Bulk
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • DIODE ZENER 24V 500MW DO-35
1N6009C 技術參數
  • 1N6009B-TP 功能描述:DIODE ZENER 24V 500MW DO35 制造商:micro commercial co 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:過期 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:24V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:62 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 18V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N6009B_T50R 功能描述:DIODE ZENER 24V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:過期 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:24V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:62 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 18V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 1N6009B_T50A 功能描述:DIODE ZENER 24V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態:過期 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:24V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:62 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 18V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 1N6009B BK 功能描述:DIODE ZENER 24V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:在售 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:24V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:62 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 18V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.5V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:2,500 1N6009B 功能描述:DIODE ZENER 24V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:24V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:62 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 18V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N6010UR 1N6010UR-1 1N6011A 1N6011B 1N6011B_T50A 1N6011B_T50R 1N6011B-TP 1N6011C 1N6011D 1N6011UR 1N6011UR-1 1N6012A 1N6012B 1N6012B BK 1N6012B_T50A 1N6012B_T50R 1N6012B-TP 1N6012C
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