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2N6660C4A-JQRS.CVB

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2N6660C4A-JQRS.CVB 技術(shù)參數(shù)

2N6660-2 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:990mA（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3 歐姆 @ 1A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:725mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-205AD，TO-39-3 金屬罐供應(yīng)商器件封裝:TO-205AF（TO-39）標(biāo)準(zhǔn)包裝:20 2N6660 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.41A TO39-3 制造商:microchip technology 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:410mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3 歐姆 @ 1A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:50pF @ 24V 功率 - 最大值:6.25W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-205AD，TO-39-3 金屬罐供應(yīng)商器件封裝:TO-39 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 2N6650 功能描述:PNP TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N6649 功能描述:PNP TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N6648 功能描述:PNP TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N6661JAN02 2N6661JTVP02 2N6661JTX02 2N6661JTXL02 2N6661JTXP02 2N6661JTXV02 2N6667 2N6667G 2N6668 2N6671 2N6672 2N6673 2N6674 2N6675 2N6676 2N6677 2N6678 2N6678T1

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