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APT34F60B

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型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說明
操作

APT34F60B
現(xiàn)貨
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
聯(lián)系人：賴先生
電話：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田區(qū)深南中路2070號(hào)電子科技大廈A座27樓2702號(hào)
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
8000
MICROSEMI
Standard
2024+
-
頂級(jí)代理現(xiàn)貨原裝假一賠十

APT34F60BMI
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
聯(lián)系人：廖小姐
電話：13410012158
地址：廣東省深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北上航大廈西座四層
5000
Microsemi
TO-247
11+
-
100%進(jìn)口原裝正品，只做原裝

APT34F60B
標(biāo)準(zhǔn)國(guó)際(香港)有限公司
標(biāo)準(zhǔn)國(guó)際(香港)有限公司
聯(lián)系人：朱小姐
電話：83617149
地址：新華強(qiáng)廣場(chǎng)2樓Q2B036室?|?公司: 深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格廣場(chǎng)58樓5813室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
30
Microsemi Power Products
2016+
-
公司現(xiàn)貨！只做原裝！

APT34F60B
深圳市晶美隆科技有限公司
深圳市晶美隆科技有限公司
聯(lián)系人：李林
電話：0755-8251939113714584659李先生（可開13%增票，3
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北電子科技大夏A座36樓C09
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
15862
APTMICROSEMI
TO-247..
23+
-
全新原裝正品現(xiàn)貨熱賣

APT34F60B
無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
聯(lián)系人：張小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無錫市新區(qū)新梅路68號(hào)
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
1000
isc/固電半導(dǎo)體
TO-247
25+
-
國(guó)產(chǎn)品牌，替代進(jìn)口

APT34F60B
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯(lián)系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83286481
地址：坂田街道東坡路3號(hào)萬(wàn)致天地商業(yè)中心（A塔）1棟一單元1602
9900
Microchip Technology
TO-247-3
23+
-
微芯專營(yíng)優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品

APT34F60B
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
APT
TO-247B
最新批號(hào)
-
代理此型號(hào)，原裝正品現(xiàn)貨！

APT34F60B
深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司
深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司
聯(lián)系人：馬先生
電話：19166264056
地址：深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號(hào)星河WORLDA2203A室
66880
APT
TO-247
22+
-
授權(quán)代理直銷,原廠原裝現(xiàn)貨,假一罰十,特...

APT34F60B
深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司
深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司
聯(lián)系人：周小姐
電話：1916620305713760272017
地址：深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號(hào)星河WORLDA2203A室
668880
MICROSEMI
新封裝
22+
-
授權(quán)代理直銷,原廠原裝現(xiàn)貨,假一罰十,特...

APT34F60B
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
百分百原裝正品假一賠十電話010-62...

APT34F60B
北京首天偉業(yè)科技有限公司
北京首天偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道電子科技大廈C座23E
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
5000
Microsemi-PPG
Microsemi-PPG
2010+
-
假一罰十，百分百原裝正品

APT34F60B
深圳市華雄半導(dǎo)體（集團(tuán)）有限公司
深圳市華雄半導(dǎo)體（集團(tuán)）有限公司
聯(lián)系人：苗鳳軍
電話：17623594308
地址：深圳龍崗區(qū)棕科云端大廈1棟B座15層
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
5199
MICROSEMI
TO-247
2226+
-
十年專營(yíng)，供應(yīng)原裝正品！熱賣現(xiàn)貨！

1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共30條
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功能描述
MOSFET N-CH 600V 34A TO-247
RoHS
是
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列
-
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1,000
系列
MESH OVERLAY™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
200V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
18A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
180 毫歐 @ 9A，10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
72nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1560pF @ 25V
功率 - 最大
40W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝
TO-220FP
包裝
管件

APT34F60B 技術(shù)參數(shù)

APT34F100L 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 35A TO264 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:35A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:400 毫歐 @ 18A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:305nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:9835pF @ 25V 功率 - 最大值:1135W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-264-3，TO-264AA 供應(yīng)商器件封裝:TO-264 [L] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT34F100B2 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 35A T-MAX 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:35A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:380 毫歐 @ 18A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:305nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:9835pF @ 25V 功率 - 最大值:1135W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 變式供應(yīng)商器件封裝:T-MAX? [B2] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT33N90JCU3 功能描述:MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:托盤零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:超級(jí)結(jié) 漏源極電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:33A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:120 毫歐 @ 26A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 3mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:270nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:6800pF @ 100V 功率 - 最大值:290W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:SOT-227 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT33N90JCU2 功能描述:MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:托盤零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:33A（Tc）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 3mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:270nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:6800pF @ 100V FET 功能:超級(jí)結(jié) 功率耗散（最大值）:290W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:120 毫歐 @ 26A，10V 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝供應(yīng)商器件封裝:SOT-227 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT33N90JCCU2 功能描述:MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:超級(jí)結(jié) 漏源極電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:33A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:120 毫歐 @ 26A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 3mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:270nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:6800pF @ 100V 功率 - 最大值:290W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:SOT-227 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT35GN120L2DQ2G APT35GP120B2DQ2G APT35GP120BG APT35GP120J APT35GP120JDQ2 APT35GT120JU2 APT35GT120JU3 APT36GA60B APT36GA60BD15 APT36N90BC3G APT37F50B APT37F50S APT37M100B2 APT37M100L APT38F50J APT38F80B2 APT38F80L APT38M50J

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