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APTGLQ400A120T6G

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  • APTGLQ400A120T6G
    APTGLQ400A120T6G

    APTGLQ400A120T6G

  • 深圳市思諾康科技有限公司
    深圳市思諾康科技有限公司

    聯系人：張小姐/Vivianvi

    電話：0755-83286481

    地址：坂田街道東坡路3號萬致天地商業中心（A塔）1棟一單元1602

  • 9900

  • Microchip Technology

  • SP6

  • 23+

  • -

  • 微芯專營優勢產品

  • APTGLQ400A120T6G
    APTGLQ400A120T6G

    APTGLQ400A120T6G

  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697

    地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質：營業執照

  • 10

  • MICROSEMI

  • 1521+

  • -

  • 全新原裝現貨

  • APTGLQ400A120T6G
    APTGLQ400A120T6G

    APTGLQ400A120T6G

  • 北京京華特科技有限公司
    北京京華特科技有限公司

    聯系人：張小姐/韓先生

    電話：010-86398446-8061581080972213911315253

    地址：北京市朝陽區建國門外大街9號樓603室

  • 3

  • MICROCHIP

  • N/A ㊣品

  • N/A 原裝進口

  • -

  • 代理渠道可追溯現貨庫存F

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  • 1
APTGLQ400A120T6G PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • POWER IGBT TRANSISTOR
APTGLQ400A120T6G 技術參數
  • APTGLQ30H65T3G 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:在售 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:全橋 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:40A 功率 - 最大值:95W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.3V @ 15V，30A 電流 - 集電極截止（最大值）:50μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:1.9nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是 工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 標準包裝:1 APTGLQ300SK120G 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:在售 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:降壓斬波器 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500A 功率 - 最大值:1500W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.42V @ 15V，300A 電流 - 集電極截止（最大值）:200μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:17.6nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTGLQ300H65G 功能描述:PWR MOD IGBT4 650V 600A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:在售 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:全橋 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:600A 功率 - 最大值:1000W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.3V @ 15V，300A 電流 - 集電極截止（最大值）:300μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:18.3nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTGLQ300A120G 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:在售 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:半橋 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500A 功率 - 最大值:1500W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.42V @ 15V，300A 電流 - 集電極截止（最大值）:200μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:17.6nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTGLQ25H120T2G 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:在售 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:全橋 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50A 功率 - 最大值:165W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.42V @ 15V，25A 電流 - 集電極截止（最大值）:50μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:1.43nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應商器件封裝:SP2 標準包裝:1 APTGLQ75H120T3G APTGLQ75H120TG APTGLQ75H65T1G APTGLQ80HR120CT3G APTGT100A1202G APTGT100A120D1G APTGT100A120T3AG APTGT100A120TG APTGT100A170D1G APTGT100A170TG APTGT100A602G APTGT100A60T1G APTGT100A60TG APTGT100BB60T3G APTGT100DA120D1G APTGT100DA120T1G APTGT100DA120TG APTGT100DA170D1G
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