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BSC067N06LS3GINCT

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BSC067N06LS3GINCT 技術(shù)參數(shù)
  • BSC067N06LS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):15A(Ta),50A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):6.7 毫歐 @ 50A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 35μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):67nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):5100pF @ 30V 功率 - 最大值:69W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSC066N06NSATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 64A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):64A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):6.6 毫歐 @ 50A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3.3V @ 20μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):21nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1500pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散(最大值):* 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSC065N06LS5ATMA1 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 60V 64A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):64A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 20μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):13nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):1800pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散(最大值):46W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):6.5 毫歐 @ 32A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 BSC061N08NS5ATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 80V 82A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):80V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):82A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):6.1 毫歐 @ 41A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3.8V @ 41μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):33nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):2500pF @ 40V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 BSC060P03NS3EGATMA1 功能描述:MOSFET P-CH 30V 17.7A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):17.7A(Ta),100A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3.1V @ 150μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):81nC @ 10V Vgs(最大值):±25V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):6020pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):2.5W(Ta),83W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):6 毫歐 @ 50A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSC079N03SG BSC079N10NSGATMA1 BSC080N03LSGATMA1 BSC080N03MSGATMA1 BSC080P03LS G BSC080P03LSGAUMA1 BSC082N10LSGATMA1 BSC084P03NS3 G BSC084P03NS3EGATMA1 BSC084P03NS3GATMA1 BSC085N025S G BSC0901NS BSC0901NSATMA1 BSC0901NSI BSC0901NSIATMA1 BSC0902NS BSC0902NSATMA1 BSC0902NSI
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