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BSS205N L6327

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型號
供應商
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封裝
批號
價格
說明
操作

BSS205N L6327S
現貨
集好芯城
集好芯城
聯系人：陳先生13360533550
電話：0755-838679890755-82795565
地址：深圳公司：深圳市福田區華富路航都大廈11F
資質：營業執照
30000
INFINEON/英飛凌
NA
22+
-
原廠原裝現貨

BSS205N L6327
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
653000
Infineon
SOT-23
最新批號
-
代理此型號.原裝正品現貨

BSS205N L6327
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
250000
INFINEON
SOT-89
最新批次
-
OEM渠道，價格超越代理！

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您是不是要找： BSS205NH6327XTSA1 BSS205NL6327HTSA1 BSS209PW BSS209PW L6327 BSS209PWH6327XTSA1 BSS214N H6327 BSS214NH6327XTSA1 BSS214NL6327HTSA1 BSS214NW L6327

BSS205N L6327 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

BSS205N L6327 PDF下載

功能描述
MOSFET OptiMOS 2 Sm-Signal Transistor N-CH
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

BSS205N L6327 技術參數

BSS205N H6327 功能描述:MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅動漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:2.5A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:50 毫歐 @ 2.5A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 11μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:3.2nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:419pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:1 BSS192PL6327HTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:190mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:12 歐姆 @ 190mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 130μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:6.1nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:104pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:PG-SOT89 標準包裝:1 BSS192PH6327XTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:190mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:12 歐姆 @ 190mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 130μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:6.1nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:104pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:PG-SOT89 標準包裝:1,000 BSS192PH6327FTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:190mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:12 歐姆 @ 190mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 130μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:6.1nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:104pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:PG-SOT89 標準包裝:1 BSS192PE6327T 功能描述:MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:190mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:12 歐姆 @ 190mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 130μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:6.1nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:104pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:PG-SOT89 標準包裝:1 BSS214NWH6327XTSA1 BSS215P H6327 BSS215PH6327XTSA1 BSS215PL6327HTSA1 BSS223PW L6327 BSS223PWH6327XTSA1 BSS225 BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327XTSA1 BSS225L6327HTSA1 BSS306N H6327 BSS306NH6327XTSA1 BSS306NL6327HTSA1 BSS308PE H6327 BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PEL6327HTSA1 BSS314PE H6327 BSS314PEH6327XTSA1