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BSS214NL6327

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操作

BSS214NL6327
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
8650000
原裝INFINEON
SOT-23
最新批號
-
一級代理.原裝特價現貨！

BSS214NL6327
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：馬先生
電話：19166264056
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
24680
1038+
3000
新批次
-
原裝現貨價格當天確認

BSS214NL6327
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：周小姐
電話：1916620305713760272017
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
3000
INFINEON
SOT23
22+
-
授權代理直銷,原廠原裝現貨,假一罰十,特...

BSS214NL6327HTSA1
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會軒3607
資質：營業執照
9800
Infineon Technologies
PG-SOT23-3
19+
-
代理直銷！進口原裝正品！

BSS214NL6327
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
15000
原裝INFIN
SOT-23
11+
-
全新原裝現貨

1/1頁 40條/頁共17條
1

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BSS214NL6327 技術參數

BSS214NH6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT23 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:1.5A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 3.7μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.8nC @ 5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:143pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:500mW（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:140 毫歐 @ 1.5A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:PG-SOT23-3 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標準包裝:1 BSS214N H6327 功能描述:MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT23 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅動漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:1.5A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:140 毫歐 @ 1.5A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 3.7μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.8nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:143pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:1 BSS209PWH6327XTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 20V 0.63A SOT-323 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅動漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:630mA（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:550 毫歐 @ 630mA，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 3.5μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1.3nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:115pF @ 15V 功率 - 最大值:300mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:PG-SOT323-3 標準包裝:1 BSS209PW L6327 功能描述:MOSFET P-CH 20V 580MA SOT-323 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅動漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:580mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:550 毫歐 @ 580mA，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 3.5μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1.38nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:89.9pF @ 15V 功率 - 最大值:300mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:PG-SOT323-3 標準包裝:3,000 BSS209PW 功能描述:MOSFET P-CH 20V 580MA SOT-323 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅動漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:580mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:550 毫歐 @ 580mA，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 3.5μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1.38nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:89.9pF @ 15V 功率 - 最大值:520mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:PG-SOT323-3 標準包裝:1 BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327XTSA1 BSS225L6327HTSA1 BSS306N H6327 BSS306NH6327XTSA1 BSS306NL6327HTSA1 BSS308PE H6327 BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PEL6327HTSA1 BSS314PE H6327 BSS314PEH6327XTSA1 BSS314PEL6327HTSA1 BSS315P H6327 BSS315PH6327XTSA1 BSS315PL6327HTSA1 BSS316N H6327 BSS316NH6327XTSA1 BSS316NL6327HTSA1