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EPC-2032

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EPC-2032 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

EPC-2032 技術參數

EPC2032 功能描述:TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:48A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4 毫歐 @ 30A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 11mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:15nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1530pF @ 50V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應商器件封裝:模具標準包裝:1 EPC2031ENGRT 功能描述:TRANS GAN 60V 2.6MOHM BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:新產品 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:31A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.6 毫歐 @ 30A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 15mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:17nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1800pF @ 300V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應商器件封裝:模具標準包裝:1 EPC2031ENGR 功能描述:TRANS GAN 60V 31A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:托盤零件狀態:有效 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:31A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.6 毫歐 @ 30A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 15mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:17nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1800pF @ 300V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應商器件封裝:模具標準包裝:10 EPC2031 功能描述:MOSFET NCH 60V 31A DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:GaNFET（氮化鎵）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:31A（Ta）不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 15mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:17nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1800pF @ 300V FET 功能:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.6 毫歐 @ 30A，5V 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）標準包裝:1 EPC2030ENGRT 功能描述:TRANS GAN 40V 2.4MOHM BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:新產品 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:31A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.4 毫歐 @ 30A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 16mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:18nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1900pF @ 20V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應商器件封裝:模具標準包裝:1 EPC2036 EPC2036ENGRT EPC2037 EPC2037ENGR EPC2038 EPC2038ENGR EPC2039 EPC2039ENGRT EPC2040 EPC2040ENGR EPC2040ENGRT EPC2045ENGRT EPC2046ENGRT EPC2047ENGRT EPC2049ENGRT EPC2100 EPC2100ENG EPC2100ENGRT