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參數資料
| 型號： | IRF1530N |
| 文件頁數： | 5/11頁 |
| 文件大小： | 661K |
| 代理商： | IRF1530N |
www.irf.com
5
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
0.01
0.1
1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Notes:
1. Duty factor D =
t / t
2. Peak T
= P
x Z
+ T
2
J
DM
thJC
C
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
(
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
25
50
75
100
125
150
175
0
40
80
120
160
200
T , Case Temperature (°
I
D
LIMITED BY PACKAGE
Fig 10.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100 120 140 160 180
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
T , Junction Temperature
( C)
R
(
D
V
=
I
=
GS
D
10V
240A
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF150SMD | N-Channel Power MOSFET(Vdss:100V,Id(cont):19A,Rds(on):0.07Ω)(N溝道功率MOS場效應管(Vdss:100V,Id(cont):19A,Rds(on):0.07Ω)) |
| IRF2204L | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 170A I(D) | TO-262AA |
| IRF2204S | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 170A I(D) | TO-263AB |
| IRF2204STRL | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 170A I(D) | TO-263AB |
| IRF2204STRR | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 170A I(D) | TO-263AB |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRF153R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:AVALANCHE ENERGY RATED N-CHANNEL POWER MOSFETS |
| IRF15D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Analog IC |
| IRF15S | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Analog IC |
| IRF1607 | 功能描述:MOSFET N-CH 75V 142A TO-220AB RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRF1607HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 80V 142A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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