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參數(shù)資料
型號: IRF1530N
文件頁數(shù): 9/11頁
文件大小: 661K
代理商: IRF1530N
www.irf.com
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF150SMD N-Channel Power MOSFET(Vdss:100V,Id(cont):19A,Rds(on):0.07Ω)(N溝道功率MOS場效應(yīng)管(Vdss:100V,Id(cont):19A,Rds(on):0.07Ω))
IRF2204L TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 170A I(D) | TO-262AA
IRF2204S TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 170A I(D) | TO-263AB
IRF2204STRL TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 170A I(D) | TO-263AB
IRF2204STRR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 170A I(D) | TO-263AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF153R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:AVALANCHE ENERGY RATED N-CHANNEL POWER MOSFETS
IRF15D 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Analog IC
IRF15S 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Analog IC
IRF1607 功能描述:MOSFET N-CH 75V 142A TO-220AB RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF1607HR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 80V 142A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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