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參數資料
| 型號： | IRF1530N |
| 文件頁數： | 6/11頁 |
| 文件大小： | 661K |
| 代理商： | IRF1530N |
6
www.irf.com
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
Fig 14.
Threshold Voltage Vs. Temperature
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
DD
DRIVER
A
15V
20V
GS
-75 -50 -25
0
25
50
75
100 125 150 175 200
TJ , Temperature ( °C )
1.0
2.0
3.0
4.0
VG
ID = 250μA
25
50
75
100
125
150
175
Starting TJ , Junction Temperature (°C)
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
EA
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF150SMD | N-Channel Power MOSFET(Vdss:100V,Id(cont):19A,Rds(on):0.07Ω)(N溝道功率MOS場效應管(Vdss:100V,Id(cont):19A,Rds(on):0.07Ω)) |
| IRF2204L | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 170A I(D) | TO-262AA |
| IRF2204S | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 170A I(D) | TO-263AB |
| IRF2204STRL | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 170A I(D) | TO-263AB |
| IRF2204STRR | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 170A I(D) | TO-263AB |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRF153R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:AVALANCHE ENERGY RATED N-CHANNEL POWER MOSFETS |
| IRF15D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Analog IC |
| IRF15S | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Analog IC |
| IRF1607 | 功能描述:MOSFET N-CH 75V 142A TO-220AB RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRF1607HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 80V 142A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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