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參數資料
| 型號： | IRF1530N |
| 文件頁數： | 8/11頁 |
| 文件大小： | 661K |
| 代理商： | IRF1530N |
8
www.irf.com
Fig 17.
for N-Channel
HEXFET Power MOSFETs
P.W.
Period
di/dt
Diodedv/dt
Ripple
≤
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Reverse
Current
Body Diode Forward
Current
V
GS
=10V
V
DD
I
SD
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
+
-
+
+
+
-
-
-
"!!
#$$
!"!!%"
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
&'
#
≤ 1
(
≤ 0.1 %
+
-
Fig 18a.
Switching Time Test Circuit
Fig 18b.
Switching Time Waveforms
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF150SMD | N-Channel Power MOSFET(Vdss:100V,Id(cont):19A,Rds(on):0.07Ω)(N溝道功率MOS場效應管(Vdss:100V,Id(cont):19A,Rds(on):0.07Ω)) |
| IRF2204L | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 170A I(D) | TO-262AA |
| IRF2204S | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 170A I(D) | TO-263AB |
| IRF2204STRL | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 170A I(D) | TO-263AB |
| IRF2204STRR | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 170A I(D) | TO-263AB |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRF153R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:AVALANCHE ENERGY RATED N-CHANNEL POWER MOSFETS |
| IRF15D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Analog IC |
| IRF15S | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Analog IC |
| IRF1607 | 功能描述:MOSFET N-CH 75V 142A TO-220AB RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRF1607HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 80V 142A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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