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參數資料
| 型號： | IRF840F |
| 英文描述： | N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS(188.09 k) |
| 中文描述： | ? -通道增強型功率MOS晶體管（188.09十一） |
| 文件頁數： | 9/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 129K |
| 代理商： | IRF840F |
IRF840AS/L
www.irf.com
9
TO-262 Part Marking Information
TO-262 Package Outline
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF840LC | |
| IRF841F | N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS(188.09 k) |
| IRF842FI | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-220AB |
| IRF843FI | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-220AB |
| IRF840 | PowerMOS transistor Avalanche energy rated |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRF840FI | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET Transistor, N-Channel, TO-220VAR |
| IRF840FP | 制造商:SUNTAC 制造商全稱:SUNTAC 功能描述:POWER MOSFET |
| IRF840I | 制造商:A-POWER 制造商全稱:Advanced Power Electronics Corp. 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| IRF840L | 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 8.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF840LC | 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 8.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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