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參數資料
| 型號： | IRFR430A |
| 英文描述： | 500V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package |
| 中文描述： | 500V單N溝道HEXFET功率MOSFET的在D - Pak封裝 |
| 文件頁數： | 4/10頁 |
| 文件大小： | 111K |
| 代理商： | IRFR430A |
IRFR430A/IRFU430A
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
1
10
100
1000
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
1
10
100
1000
10000
C
Coss
Crss
Ciss
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
0
4
8
12
16
20
0
2
5
7
10
12
Q , Total Gate Charge (nC)
V
G
I
=
D
5.0A
V
= 100V
DS
V
= 250V
DS
V
= 400V
DS
0.1
1
10
100
0.2
0.5
0.8
1.1
1.4
V ,Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
V = 0 V
T = 150 C
T = 25 C
10
100
1000
10000
VDS , Drain-toSource Voltage (V)
0.1
1
10
100
ID
Tc = 25
°
C
Tj = 150
°
C
Single Pulse
1msec
10msec
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY RDS(on)
100μsec
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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