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參數資料
型號: IRFR430A
英文描述: 500V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package
中文描述: 500V單N溝道HEXFET功率MOSFET的在D - Pak封裝
文件頁數: 6/10頁
文件大小: 111K
代理商: IRFR430A
IRFR430A/IRFU430A
6
www.irf.com
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
10 V
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
D D
DRIVER
A
15V
20V
25
50
75
100
125
150
0
50
100
150
200
250
Starting Tj, Junction Temperature
( C)
E
A
ID
2.2A
3.2A
5.0A
TOP
BOTTOM
-75
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
TJ , Temperature (
°
C )
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
VG
ID = 250μA
Fig 14.
Threshold Voltage Vs. Temperature
相關PDF資料
PDF描述
IRFR430ATR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-252AA
IRFR9121 TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 6A I(D) | TO-252
IRFR9211 TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-252AA
IRFR9222 TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 2.8A I(D) | TO-252AA
IRFU9121 TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 6A I(D) | TO-251
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參數描述
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IRFR430ATRPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 5.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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