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參數資料
| 型號： | IRFR430A |
| 英文描述： | 500V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package |
| 中文描述： | 500V單N溝道HEXFET功率MOSFET的在D - Pak封裝 |
| 文件頁數： | 5/10頁 |
| 文件大小： | 111K |
| 代理商： | IRFR430A |
IRFR430A/IRFU430A
www.irf.com
5
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
V
DS
Pulse Width
≤ 1
μs
Duty Factor
≤ 0.1 %
R
D
V
GS
R
G
D.U.T.
10V
+
-
V
DD
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
25
50
75
100
125
150
0.0
1.1
2.2
3.3
4.4
5.5
T , Case Temperature
( °
I
D
0.01
0.1
1
10
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Notes:
1. Duty factor D =
t / t
2. Peak T
= P
x Z
+ T
2
J
DM
thJC
C
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
(
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| IRFR9211 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-252AA |
| IRFR9222 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 2.8A I(D) | TO-252AA |
| IRFU9121 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 6A I(D) | TO-251 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| IRFR430ATRPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 5.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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