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參數資料
| 型號： | IS42LS81600A-7T |
| 英文描述： | RES 23.2K-OHM 1% 0.125W 25PPM THIN-FILM SMD-0805 5K/REEL-7IN-PA |
| 中文描述： | 16Meg × 8，8Meg x16 |
| 文件頁數： | 22/66頁 |
| 文件大小： | 556K |
| 代理商： | IS42LS81600A-7T |
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ISSI
22
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
ADVANCED INFORMATION
Rev. 00A
06/01/02
IS42S81600A, IS42S16800A, IS42S32400A
IS42LS81600A, IS42LS16800A, IS42LS32400A
OPERATING FREQUENCY / LATENCY RELATIONSHIPS
SYMBOL
PARAMETER
-7
-10.
UNITS
—
Clock Cycle Time
7
10
ns
—
Operating Frequency
133
100
MHz
t
CCD
READ/WRITE command to READ/WRITE command
1
1
cycle
t
CKED
CKE to clock disable or power-down entry mode
1
1
cycle
t
PED
CKE to clock enable or power-down exit setup mode
1
1
cycle
t
DQD
DQM to input data delay
0
0
cycle
t
DQM
DQM to data mask during WRITEs
0
0
cycle
t
DQZ
DQM to data high-impedance during READs
2
2
cycle
t
DWD
WRITE command to input data delay
0
0
cycle
t
DAL
Data-in to ACTIVE command
5
4
cycle
t
DPL
Data-in to PRECHARGE command
2
2
cycle
t
BDL
Last data-in to burst STOP command
1
1
cycle
t
CDL
Last data-in to new READ/WRITE command
1
1
cycle
t
RDL
Last data-in to PRECHARGE command
2
2
cycle
t
MRD
LOAD MODE REGISTER command
to ACTIVE or REFRESH command
2
2
cycle
t
ROH
Data-out to high-impedance from
PRECHARGE command
CL = 3
CL = 2
3
2
3
2
cycle
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS42LS81600A-7TI | 16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S16800A | 16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S16800A-7B | 16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S16800A-7BI | 16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S16800A-7T | 16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IS42LS81600A-7TI | 制造商:ICSI 制造商全稱:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42R16100E-7TL | 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述: |
| IS42R16320D-7BL | 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述: |
| IS42R16320D-7BLI | 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述:DRAM Chip SDRAM 512M-Bit 32Mx16 2.5V 54-Pin TFBGA |
| IS42RM16160D-7BL | 功能描述:動態隨機存取存儲器 256M (16Mx16) 143MHz Mobile S動態隨機存取存儲器, 2.5v RoHS:否 制造商:ISSI 數據總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
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