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參數(shù)資料
型號: IS42LS81600A-7T
英文描述: RES 23.2K-OHM 1% 0.125W 25PPM THIN-FILM SMD-0805 5K/REEL-7IN-PA
中文描述: 16Meg × 8,8Meg x16
文件頁數(shù): 50/66頁
文件大?。?/td> 556K
代理商: IS42LS81600A-7T
ISSI
50
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
ADVANCED INFORMATION
Rev. 00A
06/01/02
IS42S81600A, IS42S16800A, IS42S32400A
IS42LS81600A, IS42LS16800A, IS42LS32400A
ALTERNATING BANK WRITE ACCESS
BANK 0
BANK 1
BANK 1
BANK 0
DON'T CARE
CLK
CKE
COMMAND
DQM/
DQML, DQMH
A0-A9, A11
A10
BA0, BA1
DQ
t
CMS
t
CMH
t
AS
t
AH
t
AS
t
AH
t
AS
t
AH
t
DS
t
DH
t
DS
t
DH
t
DS
t
DH
t
RCD
- BANK 0
t
RRD
t
RCD
- BANK 0
t
WR
- BANK 1
t
RAS
- BANK 0
t
RC
- BANK 0
t
CH
t
CL
t
CK
t
DS
t
DH
t
DS
t
DH
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DS
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DH
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DS
t
DH
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DS
t
DH
t
CMS
t
CMH
t
CKS
t
CKH
ACTIVE
NOP
WRITE
NOP
ACTIVE
NOP
WRITE
NOP
NOP
ACTIVE
D
IN
m
D
IN
m+
1
D
IN
m+
2
D
IN
m+
3
D
IN
b
D
IN
b+
1
t
RP
- BANK 0
D
IN
b+
2
D
IN
b+
3
ROW
ROW
BANK 0
ROW
ROW
t
RCD
- BANK 1
t
WR
- BANK 0
COLUMN m
(2)
ROW
COLUMN b
(2)
ROW
ENABLE AUTO PRECHARGE
ENABLE AUTO PRECHARGE
T0
T1
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T3
T4
T5
T6
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T8
T9
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IS42LS81600A-7TI 16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IS42S16800A 16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IS42S16800A-7B 16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IS42S16800A-7BI 16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IS42S16800A-7T 16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IS42LS81600A-7TI 制造商:ICSI 制造商全稱:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IS42R16100E-7TL 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述:
IS42R16320D-7BL 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述:
IS42R16320D-7BLI 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述:DRAM Chip SDRAM 512M-Bit 32Mx16 2.5V 54-Pin TFBGA
IS42RM16160D-7BL 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 256M (16Mx16) 143MHz Mobile S動態(tài)隨機存取存儲器, 2.5v RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
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