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參數資料
| 型號： | MBM29PL12LM10PBT |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | FLASH MEMORY 128 M (16M ?8/8M ?16) BIT |
| 中文描述： | 快閃記憶體128米（1,600？8/8M？16）位 |
| 文件頁數： | 24/72頁 |
| 文件大小： | 1036K |
| 代理商： | MBM29PL12LM10PBT |
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MBM29PL12LM
10
24
(Continued)
A
0
to A
6
DQ
0
to DQ
15
Description
35h
36h
37h
38h
0000h
0000h
0000h
0000h
Erase Block Region 3 Information
39h
3Ah
3Bh
3Ch
0000h
0000h
0000h
0000h
Erase Block Region 4 Information
40h
41h
42h
0050h
0052h
0049h
Query-unique ASCII string “PRI”
43h
0031h
Major version number, ASCII
44h
0033h
Minor version number, ASCII
45h
0008h
Address Sensitive Unlock
Required
46h
0002h
Erase Suspend
(02h = To Read & Write)
47h
0001h
Number of sectors in per group
48h
0001h
Sector Temporary Unprotection
(01h = Supported)
49h
0004h
Sector Group Protection Algorithm
4Ah
0000h
Dual Operation
(00h = Not Supported)
4Bh
0000h
Burst Mode Type
(00h = Not Supported)
4Ch
0001h
Page Mode Type
(01h = 4-Word Page Supported)
4Dh
00B5h
V
ACC
(Acceleration) Supply Minimum
DQ
7
to DQ
4
: 1V/bit,
DQ
3
to DQ
0
: 100mV/bit
4Eh
00C5h
V
ACC
(Acceleration) Supply Maximum
DQ
7
to DQ
4
: 1V/bit,
DQ
3
to DQ
0
: 100mV/bit
4Fh
00XXh
CFI Write Protect
(04h
=
Uniform Sectors Bottom Write Protection)
50h
01h
Program Suspend
(01h = Supported)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM29PL12LM10PCN | FLASH MEMORY 128 M (16M ?8/8M ?16) BIT |
| MBM30LV0064-PFTN | 64M (8M X 8) BIT NAND-type |
| MBM30LV0064-PFTR | 64M (8M X 8) BIT NAND-type |
| MBM30LV0032 | 32M (4M X 8) BIT NAND-type |
| MBM30LV0032-PFTN | 32M (4M X 8) BIT NAND-type |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MBM30000 | 功能描述:BRACKET SIDE MOUNT RoHS:是 類別:工業控制，儀表 >> 配件 系列:* 標準包裝:1 系列:Aero-Motive® 130117 附件類型:拖車帶 適用于相關產品:標準盒式跟蹤系統 其它名稱:WM6183 |
| MBM30035001 | 制造商:LG Corporation 功能描述:Card,Technical |
| MBM30035015 | 制造商:LG Corporation 功能描述:Card,Technical |
| MBM300A6 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:IGBT MODULE RANGE WITH SOFT AND FAST (SFD) FREE-WHEELING DIODES |
| MBM300GR12A | 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module |
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