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參數資料
| 型號： | MBM29PL12LM10PBT |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | FLASH MEMORY 128 M (16M ?8/8M ?16) BIT |
| 中文描述： | 快閃記憶體128米（1,600？8/8M？16）位 |
| 文件頁數： | 43/72頁 |
| 文件大小： | 1036K |
| 代理商： | MBM29PL12LM10PBT |
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MBM29PL12LM
10
43
2.
AC Characteristics
Read Only Operations Characteristics
* : Test Conditions :
Output Load
Input rise and fall times : 5 ns
Input pulse levels
Timing measurement reference level
: 1 TTL gate and 30 pF
: 0.0 V or V
CC
Input
Output : V
CC
/ 2
: V
CC
/ 2
Parameter
Symbols
Condition
Value*
Unit
10
JEDEC
Standard
Min
Max
Read Cycle Time
t
AVAV
t
RC
—
100
ns
Address to Output Delay
t
AVQV
t
ACC
CE = V
IL
,
OE = V
IL
100
ns
Chip Enable to Output Delay
t
ELQV
t
CE
OE = V
IL
100
ns
Page Read Cycle Time
—
t
PRC
—
25
ns
Page Address to Output Delay
—
t
PACC
CE = V
IL
,
OE = V
IL
30
ns
Output Enable to Output Delay
t
GLQV
t
OE
—
30
ns
Chip Enable to Output High-Z
t
EHQZ
t
DF
—
25
ns
Output Enable
Hold Time
Read
—
t
OEH
—
0
ns
Toggle and Data Polling
—
10
ns
Output Enable to Output High-Z
t
GHQZ
t
DF
—
25
ns
Output Hold Time From Addresses,
CE or OE, Whichever Occurs First
t
AXQX
t
OH
—
0
ns
RESET Pin Low to Read Mode
—
t
READY
—
20
μs
Test Conditions
C
L
3.3 V
Diode = 1N3064
or Equivalent
2.7 k
Device
Under
Test
Diode = 1N3064
or Equivalent
6.2 k
Output load circuit
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM29PL12LM10PCN | FLASH MEMORY 128 M (16M ?8/8M ?16) BIT |
| MBM30LV0064-PFTN | 64M (8M X 8) BIT NAND-type |
| MBM30LV0064-PFTR | 64M (8M X 8) BIT NAND-type |
| MBM30LV0032 | 32M (4M X 8) BIT NAND-type |
| MBM30LV0032-PFTN | 32M (4M X 8) BIT NAND-type |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MBM30000 | 功能描述:BRACKET SIDE MOUNT RoHS:是 類別:工業控制，儀表 >> 配件 系列:* 標準包裝:1 系列:Aero-Motive® 130117 附件類型:拖車帶 適用于相關產品:標準盒式跟蹤系統 其它名稱:WM6183 |
| MBM30035001 | 制造商:LG Corporation 功能描述:Card,Technical |
| MBM30035015 | 制造商:LG Corporation 功能描述:Card,Technical |
| MBM300A6 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:IGBT MODULE RANGE WITH SOFT AND FAST (SFD) FREE-WHEELING DIODES |
| MBM300GR12A | 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module |
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