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參數(shù)資料
型號: MBM29PL12LM10PBT
廠商: Fujitsu Limited
英文描述: FLASH MEMORY 128 M (16M ?8/8M ?16) BIT
中文描述: 快閃記憶體128米(1,600?8/8M?16)位
文件頁數(shù): 40/72頁
文件大小: 1036K
代理商: MBM29PL12LM10PBT
MBM29PL12LM
10
40
MAXIMUM OVERSHOOT/MAXIMUM UNDERSHOOT
Maximum Undershoot Waveform
+0.6 V
–0.5 V
20 ns
–2.0 V
20 ns
20 ns
Maximum Overshoot Waveform 1
0.7
×
V
CC
V
CC
+0.5 V
20 ns
V
CC
+2.0 V
20 ns
20 ns
Maximum Overshoot Waveform 2
V
CC
+0.5 V
+12.5 V
20 ns
+14.0 V
20 ns
20 ns
Note: This waveform is applied for A
9
, OE, RESET, and WP/ACC.
相關PDF資料
PDF描述
MBM29PL12LM10PCN FLASH MEMORY 128 M (16M ?8/8M ?16) BIT
MBM30LV0064-PFTN 64M (8M X 8) BIT NAND-type
MBM30LV0064-PFTR 64M (8M X 8) BIT NAND-type
MBM30LV0032 32M (4M X 8) BIT NAND-type
MBM30LV0032-PFTN 32M (4M X 8) BIT NAND-type
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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MBM30035015 制造商:LG Corporation 功能描述:Card,Technical
MBM300A6 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:IGBT MODULE RANGE WITH SOFT AND FAST (SFD) FREE-WHEELING DIODES
MBM300GR12A 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module
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