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參數資料
| 型號： | MBT35200 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 繼電器，輸入/輸出模塊 |
| 英文描述： | 30 AMP MINIATURE POWER RELAY |
| 中文描述： | 高電流表面貼裝進步黨硅晶體管的負荷開關在便攜式應用管理 |
| 文件頁數： | 6/8頁 |
| 文件大小： | 81K |
| 代理商： | MBT35200 |
MBT35200MT1
http://onsemi.com
6
PACKAGE DIMENSIONS
CASE 318G–02
ISSUE G
STYLE 6:
PIN 1. COLLECTOR
2. COLLECTOR
3. BASE
4. EMITTER
5. COLLECTOR
6. COLLECTOR
2
3
4
5
6
A
L
1
S
G
D
B
H
C
0.05 (0.002)
DIM
A
B
C
D
G
H
J
K
L
M
S
MIN
2.90
1.30
0.90
0.25
0.85
0.013
0.10
0.20
1.25
MAX
3.10
1.70
1.10
0.50
1.05
0.100
0.26
0.60
1.55
10
3.00
MIN
0.1142
0.0512
0.0354
0.0098
0.0335
0.0005
0.0040
0.0079
0.0493
MAX
0.1220
0.0669
0.0433
0.0197
0.0413
0.0040
0.0102
0.0236
0.0610
10
0.1181
INCHES
MILLIMETERS
0
0
0.0985
2.50
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
3. MAXIMUM LEAD THICKNESS INCLUDES LEAD
FINISH THICKNESS. MINIMUM LEAD THICKNESS
IS THE MINIMUM THICKNESS OF BASE
MATERIAL.
M
J
K
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBT3906DW1T1 | Dual General Purpose Transistor |
| MBT3906DW1T1G | Dual General Purpose Transistor |
| MBT3906DW1T1 | Dual General Purpose Transistors |
| MC100EP16TDT | 3.3V / 5V ECL Differential Receiver/Driver with Internal Termination |
| MC100EP16VC | 3.3V / 5V ECL Differential Receiver/Driver with High Gain and Enable Output |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MBT35200MT1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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| MBT35200MT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor |
| MBT35200MT2G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TSOP6 PNP XSTR SPCL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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