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參數資料
| 型號： | MBT35200 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 繼電器，輸入/輸出模塊 |
| 英文描述： | 30 AMP MINIATURE POWER RELAY |
| 中文描述： | 高電流表面貼裝進步黨硅晶體管的負荷開關在便攜式應用管理 |
| 文件頁數： | 7/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 81K |
| 代理商： | MBT35200 |
MBT35200MT1
http://onsemi.com
7
Notes
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBT3906DW1T1 | Dual General Purpose Transistor |
| MBT3906DW1T1G | Dual General Purpose Transistor |
| MBT3906DW1T1 | Dual General Purpose Transistors |
| MC100EP16TDT | 3.3V / 5V ECL Differential Receiver/Driver with Internal Termination |
| MC100EP16VC | 3.3V / 5V ECL Differential Receiver/Driver with High Gain and Enable Output |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MBT35200MT1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MBT35200MT1_05 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:High Current Surface Mount PNP Silicon Switching Transistor for Load Management in Portable Applications |
| MBT35200MT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MBT35200MT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor |
| MBT35200MT2G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TSOP6 PNP XSTR SPCL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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