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參數資料
| 型號： | MC68HC08AB16A |
| 廠商： | Motorola, Inc. |
| 英文描述： | Low Cost HCMOS Microcontroller(低成本、8位HCMOS微控制器) |
| 中文描述： | 低成本HCMOS微控制器（低成本，8位HCMOS微控制器） |
| 文件頁數： | 369/380頁 |
| 文件大小： | 3638K |
| 代理商： | MC68HC08AB16A |
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Electrical Specifications
EEPROM and Memory Characteristics
MC68HC08AB16A
—
Rev. 2.0
Technical Data
MOTOROLA
Electrical Specifications
369
23.7 EEPROM and Memory Characteristics
Low-voltage inhibit reset/recover hysteresis
H
LVI
100
150
—
mV
POR rearm voltage
(7)
V
POR
0
—
200
mV
POR reset voltage
(8)
V
PORRST
0
—
800
mV
POR rise time ramp rate
(9)
R
POR
0.02
—
—
V/ms
Notes
:
1. V
DD
= 5.0 Vdc
±
10%, V
SS
= 0 Vdc, T
A
= T
L
to T
H
, unless otherwise noted
2. Typical values reflect average measurements at midpoint of voltage range, 25
°
C only.
3. Run (operating) I
DD
measured using external square wave clock source (f
BUS
= 8.4MHz). All inputs 0.2 V from rail. No dc
loads. Less than 100 pF on all outputs. C
L
= 20 pF on OSC2. All ports configured as inputs. OSC2 capacitance linearly
affects run I
DD
. Measured with all modules enabled.
4. Wait I
DD
measured using external square wave clock source (f
BUS
= 8.4MHz). All inputs 0.2 V from rail. No dc loads. Less
than 100 pF on all outputs. C
L
= 20 pF on OSC2. All ports configured as inputs. OSC2 capacitance linearly affects wait
I
DD
. Measured with PLL and LVI enabled.
5. Stop I
DD
is measured with OSC1 = V
SS
.
6. Pullups are disabled. Port B leakage is specified in
23.10 ADC Characteristics
.
7. Maximum is highest voltage that POR is guaranteed.
8. Maximum is highest voltage that POR is possible.
9. If minimum V
DD
is not reached before the internal POR reset is released, RST must be driven low externally until minimum
V
DD
is reached.
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
RAM data retention voltage
V
RDR
0.7
—
V
EEPROM programming time per byte
t
EEPGM
10
—
ms
EEPROM erasing time per byte
t
EBYTE
10
—
ms
EEPROM erasing time per block
t
EBLOCK
10
—
ms
EEPROM erasing time per bulk
t
EBULK
10
—
ms
EEPROM programming voltage discharge period
t
EEFPV
100
—
μ
s
Number of programming operations to the same EEPROM
byte before erase
(1)
Notes
:
1. Programming a byte more times than the specified maximum may affect the data integrity of that byte. The byte must
be erased before it can be programmed again.
—
—
8
—
EEPROM write/erase cycles at 10ms write time (85
°
C)
—
10,000
—
Cycles
EEPROM data retention after 10,000 write/erase cycles
—
10
—
Years
Characteristic
(1)
Symbol
Min
Typ
(2)
Max
Unit
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MC68HC08AS32AFU | Microcontrollers |
| MC68HC08AS32AVFU | Microcontrollers |
| MC68HC08AS32CAFN | Microcontrollers |
| MC68HC08AS32VAFN | Microcontrollers |
| MC68HC08AS32A | Microcontrollers |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MC68HC08AB16AD | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:Microcontrollers |
| MC68HC08AZ0 | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:Advance Information |
| MC68HC08AZ0CFU | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:Advance Information |
| MC68HC08AZ16 | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:HCMOS Microcontroller Unit |
| MC68HC08AZ24 | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:HCMOS Microcontroller Unit |
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