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參數(shù)資料
型號(hào): MMBF0201N
廠商: Motorola, Inc.
英文描述: N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE TMOS MOSFET
中文描述: N溝道增強(qiáng)型MOSFET的任務(wù)操作系統(tǒng)
文件頁(yè)數(shù): 4/6頁(yè)
文件大小: 178K
代理商: MMBF0201N
4
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
S
–50
–25
0
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
25
50
150
0.6
1.4
1.6
1.8
Figure 7. On–Resistance versus
Junction Temperature
0
5
10
15
20
0
60
80
100
VDS, DRAIN–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 8. Capacitance
0
0.3
0.6
1.4
0.001
0.1
1.0
10
SOURCE–TO–DRAIN FORWARD VOLTAGE (VOLTS)
Figure 9. Source–to–Drain Forward Voltage
versus Continuous Current (IS)
75
1.2
40
0.01
0.9
1.2
1.0
20
R
0.8
100
125
VGS = 10 V @ 300 mA
VGS = 4.5 V @ 100 mA
C
Ciss
Coss
Crss
125
°
C
25
°
C
–55
°
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBF0201 N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE TMOS MOSFET
MMBF2201NT1 N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE TMOS MOSFET
MMBF2201PT1 LOW RDS SMALL SIGNAL MOSFETS TMOS SINGLE P CHANNEL FIELD EFFECT TRANSISTORS
MMBF2202PT1 P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE TMOS MOSFET
MMBF2202PT3 LOW RDS SMALL SIGNAL MOSFETS TMOS SINGLE P CHANNEL FIELD EFFECT TRANSISTORS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMBF0201NLT1 功能描述:MOSFET 20V 300mA N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
MMBF0201NLT1_06 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 300 mAmps, 20 Volts N−Channel SOT−23
MMBF0201NLT1G 功能描述:MOSFET 20V 300mA N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
MMBF0201NLT1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET 制造商:ON Semiconductor 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 20V, 300mA SOT-23
MMBF0201NLT1G-CUT TAPE 制造商:ON 功能描述:MMBF Series N-Channel 20 V 1 Ohm 225 mW Surface Mount Power MOSFET - SOT-23
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