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參數資料
| 型號： | MRF21045LSR3 |
| 廠商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, NI-400S, CASE 465F-04, 2 PIN |
| 文件頁數： | 5/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 473K |
| 代理商： | MRF21045LSR3 |
N
O
T
R
E
C
O
M
E
N
D
E
D
F
O
R
N
E
W
D
E
S
IG
N
O
T
R
E
C
O
M
E
N
D
E
D
F
O
R
N
E
W
D
E
S
IG
N
MRF21045LR3 MRF21045LSR3
3
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Table 4. Electrical Characteristics (TC = 25°C unless otherwise noted) (continued)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Functional Tests (In Freescale Test Fixture, 50 ohm system) — continued
Two--Tone Common--Source Amplifier Power Gain
(VDD = 28 Vdc, Pout = 45 W PEP, IDQ = 500 mA,
f1 = 2110 MHz, f2 = 2120 MHz and f1 = 2160 MHz, f2 = 2170 MHz)
Gps
—
14.9
—
dB
Two--Tone Drain Efficiency
(VDD = 28 Vdc, Pout = 45 W PEP, IDQ = 500 mA,
f1 = 2110 MHz, f2 = 2120 MHz and f1 = 2160 MHz, f2 = 2170 MHz)
η
—
36
—
%
Intermodulation Distortion
(VDD = 28 Vdc, Pout = 45 W PEP, IDQ = 500 mA,
f1 = 2110 MHz, f2 = 2120 MHz and f1 = 2160 MHz, f2 = 2170 MHz)
IMD
—
--30
—
dBc
Two--Tone Input Return Loss
(VDD = 28 Vdc, Pout = 45 W PEP, IDQ = 500 mA,
f1 = 2110 MHz, f2 = 2120 MHz and f1 = 2160 MHz, f2 = 2170 MHz)
IRL
—
--12
—
dB
Pout, 1 dB Compression Point
(VDD = 28 Vdc, IDQ = 500 mA, f = 2170 MHz)
P1dB
—
50
—
W
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PDF描述 |
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