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參數資料
型號: MRF21120R6
廠商: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類: 功率晶體管
英文描述: 2 CHANNEL, S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝: ROHS COMPLIANT, NI-1230, CASE 375D-05, 4 PIN
文件頁數: 6/12頁
文件大小: 371K
代理商: MRF21120R6
MRF21120R6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Table 4. Electrical Characteristics (TC = 25°C unless otherwise noted) (continued)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Functional Tests (In Freescale Test Fixture, 50 ohm system) (1) (continued)
Power Output, 1 dB Compression Point
(VDD = 28 Vdc, CW, IDQ = 1000 mA, f1 = 2170.0 MHz)
P1dB
120
W
Common-Source Amplifier Power Gain
(VDD = 28 Vdc, Pout = 120 W CW, IDQ = 1000 mA,
f1 = 2170.0 MHz)
Gps
10.5
dB
Drain Efficiency
(VDD = 28 Vdc, Pout = 120 W CW, IDQ = 1000 mA,
f1 = 2170.0 MHz)
η
42
%
1. Device measured in push-pull configuration.
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