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參數資料
| 型號： | MRF21180S |
| 廠商： | MOTOROLA INC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 2 CHANNEL, S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封裝： | NI-1230S, CASE 375E-03, 5 PIN |
| 文件頁數： | 10/12頁 |
| 文件大小： | 356K |
| 代理商： | MRF21180S |
7
MRF21180 MRF21180S
MOTOROLA RF DEVICE DATA
TYPICAL CHARACTERISTICS
20
-70
0
-20
-10
-20
-30
-40
-50
-60
15
10
5
0
-5
-10
-15
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
Figure 9. Two-Tone Power Gain versus
Output Power
Figure 10. Two-Tone Broadband Performance
G
ps
,POWER
GAIN
(dB),
,DRAIN
EFFICIENCY
(%)
η
INTERMODULA
TION
DIST
OR
TION
(dBc)
IMD,
f, FREQUENCY (MHz)
INPUT
RETURN
LOSS
(dB)
IRL,
Figure 11. Intermodulation Distortion
Products versus Two–Tone Spacing
Df, TONE SEPARATION (MHz)
INTERMODULA
TION
DIST
OR
TION
(dBc)
IMD,
Figure 12. 2-Carrier W-CDMA Spectrum
f, FREQUENCY (MHz)
(dB)
-IM3 @
3.84 MHz BW
+IM3 @
3.84 MHz BW
-ACPR @
3.84 MHz BW
+ACPR @
3.84 MHz BW
f1
3.84 MHz BW
f2
3.84 MHz BW
220
11
12.5
10
IDQ = 2100 mA
1700 mA
VDD = 28 Vdc
f1 = 2135 MHz, f2 = 2145 MHz
12.25
12
11.75
11.5
11.25
100
1900 mA
1500 mA
1300 mA
Gps
2190
10
35
2090
-33
-8
IRL
η
IMD
VDD = 28 Vdc
Pout = 170 W (PEP)
IDQ (ICQ) = 1700 mA
f1 = f - 5 MHz, f2 = f + 5 MHz
30
-13
25
-18
20
-23
15
-28
2170
2150
2130
2110
20
-55
-25
0.1
3rd Order
VDD = 28 Vdc
Pout = 170 W (PEP)
IDQ = 1700 mA
f1 = 2140 MHz - Df/2, f2 = 2140 MHz + Df/2
-30
-35
-40
-45
-50
10
1
5th Order
7th Order
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF21180S | 2 CHANNEL, S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF275G | 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF282SR1 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF282ZR1 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF284LR1 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MRF212 | 功能描述:射頻放大器 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點:37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數:0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel |
| MRF221 | 功能描述:射頻雙極電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:25 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray |
| MRF224 | 功能描述:射頻放大器 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點:37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數:0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel |
| MRF227 | 制造商: 功能描述: 制造商:Motorola Inc 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: 制造商:Motorola Inc 功能描述:Bipolar Junction Transistor, NPN Type, TO-39 |
| MRF234 | 制造商:ASI 制造商全稱:ASI 功能描述:NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR |
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